申请/专利权人：杭州探真纳米科技有限公司

申请日：2020-09-04

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN112158794B

主分类号：B81C1/00

分类号：B81C1/00;G01Q60/24

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.01.19#实质审查的生效;2021.01.01#公开

摘要：一种采用等离子体刻蚀制备原子力显微镜探针阶梯型基底的方法，属于微纳机械传感器技术领域。包括以下步骤：1）选用SOI晶片作为原料；2）掩模旋涂完成后，利用光刻机进行曝光，曝光完成后在室温下将样品于专用显影剂下显影，然后将样品坚膜；3）分四步进行反应离子刻蚀。上述一种采用等离子体刻蚀制备原子力显微镜探针阶梯型基底的方法，利用刻蚀图形的不同大小得到不同刻蚀深度，从而通过等离子体刻蚀制造阶梯型结构，实现了等离子体刻蚀的三阶梯AFM探针基底，并且可通过调节曝光图形矩形阵列的边长调控阶梯深度；具有此种阶梯型基底的AFM探针不会阻挡反射激光的光路。

主权项：1.一种采用等离子体刻蚀制备原子力显微镜探针阶梯型基底的方法，其特征在于包括以下步骤：1）选用SOI晶片作为原料，所述的SOI晶片由SOI晶片器件硅层（5）、SOI晶片二氧化硅层（6）、SOI晶片衬底硅层（7）组成，SOI晶片器件硅层（5）的厚度为5-20μm，SOI二氧化硅层（6）的厚度为0.5-2μm，SOI晶片衬底硅层（7）的厚度为350-500μm；选用SOI晶片衬底硅层（7）作为顶面制备阶梯型AFM探针基底，将厚度为10-12μm的光刻胶（8）旋涂于SOI晶片衬底硅层（7）上，并在90-100℃热板上烘烤5-15分钟；2）掩模旋涂完成后，利用光刻机进行曝光，曝光区域剂量为800-1200mJcm2，曝光完成后在室温下将样品于专用显影剂下显影2-3.5分钟，然后将样品置于100-125℃热板上坚膜15-30分钟；3）分四步进行反应离子刻蚀，具体为：采用Bosch工艺进行深硅刻蚀、采用氧气等离子刻蚀去除光刻胶（8）、采用纯SF6等离子体去除深刻蚀过程中形成的侧壁、采用Bosch工艺进行深硅刻蚀直到SOI晶片二氧化硅层（6）；按照上述步骤实施实现等离子体刻蚀的三阶梯AFM探针基底，并且通过调节曝光图形矩形阵列的边长调控阶梯深度，具有此种阶梯型基底的AFM探针不会阻挡反射激光的光路。

全文数据：

权利要求：

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