申请/专利权人：南京大学

申请日：2020-12-03

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN112531112B

主分类号：H10K10/46

分类号：H10K10/46;H10K77/10;H10K71/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.04.06#实质审查的生效;2021.03.19#公开

摘要：本发明公开一种超高增益有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管包括衬底、介电层、半导体沟道层和源漏电极，其中介电层为铁电性氧化物薄膜，半导体沟道层为有机分子薄膜。其制备方法包括如下步骤：在衬底表面生长铁电性氧化物薄膜作为介电层；在介电层表面生长有机分子薄膜作为半导体沟道层；制备源漏电极。本发明采用铁电性氧化物作为介电层，其引入的负电容效应在有机薄膜晶体管中打破了玻尔兹曼极限，获得了室温下小于60mVdec的亚阈值摆幅和大于38.7SA的跨导效率，本征增益达到4.7×104，比已报导结果高一个量级以上。该有机薄膜晶体管还可制备在柔性衬底上，在柔性低功耗电路、皮肤电子、射频标签、显示驱动等领域具有广泛的潜在应用。

主权项：1.一种本征增益达4.7×104且跨导效率大于38.7SA的有机薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管包括衬底、介电层、半导体沟道层和源漏电极，其中，所述介电层包括铪锆氧薄膜和生长在铪锆氧薄膜表面、用作电容匹配的氧化铝薄膜，所述半导体沟道层为单层2,9-二癸基二萘酚[2,3-b:2'，3'-f]噻吩[3,2-b]噻吩分子薄膜，该分子薄膜由溶液半月形剪切法生长得到。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京大学 一种超高增益有机薄膜晶体管及其制备方法

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