申请/专利权人：株式会社国际电气

申请日：2019-12-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN113169069B

主分类号：H01L21/31

分类号：H01L21/31;H01L21/316;C23C16/455;C23C16/56

优先权：["20190111 JP 2019-003056"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开

摘要：抑制以含氢及氧气体为要因的异物产生。具有下述工序：a向在设为第1压力的处理室内的衬底上形成的膜供给含氢及氧气体，使膜改性的工序；b在进行a后的处理室内残留的含氢及氧气体维持气体状态的第2压力下，向处理室内供给非活性气体并对处理室内进行排气，对处理室内进行吹扫的工序；c以使进行b后的处理室内减压至比第2压力低的第3压力的方式对处理室内进行真空抽吸的工序。

主权项：1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：a向在设为第1压力的处理室内的衬底上形成的膜供给含氢及氧气体，使所述膜改性的工序；b在进行a后的所述处理室内残留的所述含氢及氧气体维持气体状态的第2压力下，向所述处理室内供给非活性气体并对所述处理室内进行排气，从而对所述处理室内进行吹扫的工序；和c以使进行b后的所述处理室内减压至比所述第2压力低的第3压力的方式，对所述处理室内进行排气的工序，其中，使b中的所述第2压力与a中的所述第1压力同等。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社国际电气 半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质

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