申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2020-02-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN111627809B

主分类号：H01L21/308

分类号：H01L21/308;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67

优先权：["20190228 JP 2019-036709","20191111 JP 2019-203958"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.12.28#实质审查的生效;2020.09.04#公开

摘要：本发明提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括步骤a和步骤b。步骤a是将被处理体提供到腔室内的载置台上的步骤，其中，该被处理体包括基片、形成于基片上的蚀刻对象膜和形成于蚀刻对象膜上的具有开口的掩模。步骤b是沿掩模的膜厚方向在开口的侧壁形成具有不同厚度的膜的步骤。本发明能够修正掩模的形状。

主权项：1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：a将被处理体提供到腔室内的载置台上的步骤，其中，所述被处理体包括基片、形成于所述基片上的蚀刻对象膜和形成于所述蚀刻对象膜上的具有开口的掩模；b沿所述掩模的膜厚方向在所述开口的侧壁形成具有不同厚度的膜的步骤；以及c对所述膜进行修整的步骤，在反复执行n次以上的所述b中，通过在第n次的处理和第n-1次的处理中改变处理条件，来改变在反复执行的所述b中形成的所述膜的位置和或厚度，其中n为2以上的自然数，所述c之后的所述掩模的膜厚方向上的所述开口的开口尺寸的偏差比所述c之前的所述掩模的膜厚方向上的所述开口的开口尺寸的偏差小。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 基片处理方法和基片处理装置

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