申请/专利权人：苹果公司

申请日：2021-08-27

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN114256741B

主分类号：H01S5/183

分类号：H01S5/183

优先权：["20200925 US 17/032,673"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.04.15#实质审查的生效;2022.03.29#公开

摘要：本公开涉及用于密集VCSEL设计的沟槽工艺。描述了带沟槽的VCSEL发射器结构。在一个实施方案中，发射器结构包括非均匀分布的发射器的群集，其中每个发射器包括内部台面沟槽，和从该内部台面沟槽延伸的氧化物孔口层的氧化部分。外部壕式沟槽邻近于该内部台面沟槽而定位，并且形成为达到超过该氧化物孔口层的深度。

主权项：1.一种发射器结构，包括：发射器群集，所述发射器群集包括发射器的非均匀分布，所述发射器群集包括在所述发射器群集中的每个发射器之间共享的共用底部DBR层以及包括氧化物孔口OA层的顶部DBR层，每个发射器包括：内部台面沟槽，所述内部台面沟槽位于所述顶部DBR层中，并且在所述内部台面沟槽内部横向地限定顶部DBR层台面结构；其中每个顶部DBR层台面结构的OA层包括非氧化部分和从所述内部台面沟槽的侧壁延伸到所述顶部DBR层台面结构中的氧化部分；并且位于所述顶部DBR层中的一个或多个外部壕式沟槽，每个外部壕式沟槽与用于所述发射器群集中的一个或多个发射器的所述内部台面沟槽相邻，其中每个外部壕式沟槽延伸至超过所述顶部DBR层中的所述OA层的深度；其中与顶部DBR层中的每个内部台面沟槽相交的OA层被选择性氧化，并且与顶部DBR层中的每个外部壕式沟槽相交的OA层未被氧化。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苹果公司 用于密集VCSEL设计的沟槽工艺

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