申请/专利权人：滁州亿晶光电科技有限公司

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117758238A

主分类号：C23C16/458

分类号：C23C16/458;C23C16/455;H01L21/673;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明公开一种改善管式ALD上料插片结构及方法，包括侧部防护机构以及底部防护机构，侧部防护机构安装在电池花篮的放置槽内壁两侧的安装槽内且用于当硅片与放置槽的内壁两侧接触时对其两侧与硅片之间的碰撞进行缓冲防护；底部防护机构安装在电池花篮的放置槽的内壁底部且用于当硅片与放置槽的内壁底部接触时对其底部与硅片之间的碰撞进行缓冲防护，该种改善管式ALD上料插片结构及方法，替代传统的管式ALD上料插片时的方式，避免了在上料的过程中硅片与卡槽内的卡齿发生激烈碰撞，进而使得硅片接触处破碎隐裂，从而增加了企业生产成本的问题。

主权项：1.一种改善管式ALD上料插片结构，其特征在于，包括：侧部防护机构100，其安装在电池花篮400的放置槽410内壁两侧且用于当硅片与放置槽410的内壁两侧接触时对其两侧与硅片之间的碰撞进行缓冲防护；底部防护机构200，其安装在电池花篮400的放置槽410的内壁底部且用于当硅片与放置槽410的内壁底部接触时对其底部与硅片之间的碰撞进行缓冲防护。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 滁州亿晶光电科技有限公司 一种改善管式ALD上料插片结构及方法

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