申请/专利权人：新烯科技有限公司

申请日：2021-12-14

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN116076156B

主分类号：C23C16/14

分类号：C23C16/14;H05H1/46

优先权：["20201223 JP 2020-214038"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2023.05.23#实质审查的生效;2023.05.05#公开

摘要：ALD装置10A,10B具有：第1前体生成部50A,50B，与处理气体源30,31连结，生成供给至反应容器20的第1前体；以及第2前体生成部60，与还原气体源和上述反应容器连结，生成供给至反应容器的第2前体。第1前体生成部通过利用第1等离子体生成手段52激发的第1等离子体P1对靶材53进行蚀刻，将包含金属成分的化合物气体作为第1前体进行供给。第2前体生成部将利用第2等离子体生成手段64激发的第2等离子体P2中的还原气体成分的自由基作为第2前体进行供给。

主权项：1.一种金属膜的ALD装置，其中，该装置具有：反应容器，交替地充满用于实施ALD循环的第1前体和第2前体，在加工对象物形成金属膜；处理气体源；还原气体源；第1前体生成部，与所述处理气体源连结，生成供给至所述反应容器的所述第1前体；以及第2前体生成部，与所述还原气体源连结，生成供给至所述反应容器的所述第2前体，所述第1前体生成部包括将所述处理气体源与所述反应容器之间连结且包含非金属部分的第1管路、设置在所述第1管路的所述非金属部分的周围的第1等离子体生成手段和沿着所述第1管路的长度方向配置在所述第1管路的所述非金属部分的内侧的包含金属成分的棒状靶材，利用所述第1等离子体生成手段对于来自所述处理气体源的处理气体进行激发而得到第1等离子体，利用该第1等离子体对所述靶材进行蚀刻，生成包含所述金属成分的化合物气体，将所述化合物气体作为所述第1前体供给至所述反应容器；所述第2前体生成部包括将所述还原气体源与所述反应容器之间连结且包含非金属部分的第2管路、设置在所述第2管路的所述非金属部分的周围的第2等离子体生成手段，将利用所述第2等离子体生成手段对于来自所述还原气体源的还原气体进行激发而得到的第2等离子体中的还原气体成分的自由基作为所述第2前体供给至所述反应容器中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 新烯科技有限公司 金属膜的ALD装置

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