申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2019-04-04

公开（公告）日：2024-02-23

公开（公告）号：CN114672787B

主分类号：C23C16/40

分类号：C23C16/40;C23C16/44;C23C16/455

优先权：["20180406 US 15/947,402"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.23#授权;2022.07.15#实质审查的生效;2022.06.28#公开

摘要：本文公开一种在制品的表面上的具有一个或多个中断层以控制晶体生长的稀土氧化物涂层及其形成方法。所述涂层可以通过原子层沉积和或通过化学气相沉积来沉积。本文公开的所述涂层中的稀土氧化物可以具有与所述一个或多个中断层的原子晶相或非晶相不同的原子晶相。

主权项：1.一种制品，包括在所述制品的表面上的耐等离子体保护涂层，其中所述耐等离子体保护涂层包括：结晶稀土氧化物层和包括氧化锆或氧化锆钇的结晶或非晶金属氧化物层的交替层的堆叠，其中：所述交替层的堆叠中的第一层是结晶稀土氧化物层，当所述金属氧化物层是结晶的时候，所述结晶金属氧化物层具有与所述结晶稀土氧化物层的相不同的原子晶相，所述结晶或非晶金属氧化物层是中断层，所述中断层抑制所述结晶稀土氧化物层的晶粒生长，以使得所述结晶稀土氧化物层中的所有晶粒具有的晶粒尺寸在长度上低于100nm且在宽度上低于200nm，并且其中所述结晶稀土氧化物层具有500-5000埃的厚度且所述结晶或非晶金属氧化物层具有1-500埃的厚度，以使得所述结晶或非晶金属氧化物层的厚度低于所述结晶稀土氧化物层的厚度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 区控制的稀土氧化物ALD和CVD涂层

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD