申请/专利权人：青岛旭芯互联科技研发有限公司;东旭科技集团有限公司;东旭集团有限公司

申请日：2024-01-15

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117766644A

主分类号：H01L33/00

分类号：H01L33/00;H01L33/10;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明公开了一种红光LED外延结构、LED芯片及其制备方法，红光LED外延结构具有复合DBR结构，方法包括通过以下步骤制备复合DBR结构：在GaAs‑Si缓冲层上方，生长m组AlxGa1‑xAsAlAs；再生长n组Al0.5Ga0.5AsAlAs，形成双层复合DBR结构。本发明用复合DBR结构替代原有DBR结构，新的结构增大了AlGaAs和AlAs的反射率差值，可提升正装LED发光效率，能够在较低的电流下实现较高的光输出，对比倒装芯片可降低成本，具有较宽的电压适应范围，能够在不同电压条件下保持稳定的发光性能，有利于提升产品良率，结构设计紧凑，便于集成到各种照明设备和电子设备中，满足多样化的应用需求，适宜推广使用。

主权项：1.一种红光LED外延结构的制备方法，所述红光LED外延结构具有由下而上依次设置的N型GaAs衬底、GaAs-Si缓冲层、复合DBR结构、AlInP掺Si限制层、量子阱发光层、AlInP掺Mg限制层、GaP掺镁电流扩展及出光层、GaP掺碳欧姆接触层，其特征在于，包括通过以下步骤制备所述复合DBR结构：在所述GaAs-Si缓冲层上方，生长m组AlxGa1-xAsAlAs，再生长n组Al0.5Ga0.5AsAlAs，形成双层复合DBR结构。

全文数据：

权利要求：

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