申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2018-12-06

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN110010535B

主分类号：H01L21/677

分类号：H01L21/677;H01L21/673

优先权：["20171206 JP 2017-234476"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.26#授权;2020.07.07#实质审查的生效;2019.07.12#公开

摘要：本发明提供一种能够对FOUP的内表面进行除电，抑制微粒向FOUP的内表面的附着的基板搬入搬出装置、处理装置和基板搬送容器的除电方法。一个实施方式的基板搬入搬出装置具有：隔壁，其划分出基板搬送区域和容器搬送区域；搬送口，其形成于所述隔壁；以及气体供给机构，其从所述搬送口的开口缘部向使基板收纳容器的取出口的开口缘部与所述搬送口的开口缘部紧密接合后的基板收纳容器的内部吹送被电离了的气体。

主权项：1.一种基板搬入搬出装置，具有：隔壁，其划分出基板搬送区域和容器搬送区域；搬送口，其形成于所述隔壁；气体供给机构，其从所述搬送口的开口缘部向使基板收纳容器的取出口的开口缘部与所述搬送口的开口缘部紧密接合后的基板收纳容器的内部吹送被电离了的气体，所述气体供给机构被配置为在所述基板收纳容器的内部没有收纳基板的状态下向所述基板收纳容器的内部吹送被电离了的气体；开闭门，其形成为该开闭门的周缘部朝向所述容器搬送区域侧弯曲的箱体，通过使所述周缘部紧密接合所述搬送口的开口缘部而关闭所述搬送口；电位计，其设置于所述开闭门的朝向所述容器搬送区域侧弯曲的部分中的下部的内表面，用于检测所述基板收纳容器的内表面的电位；以及控制部，其基于由所述电位计检测出的所述基板收纳容器的内表面的电位来控制用于生成所述被电离了的气体的电离装置的动作。

全文数据：基板搬入搬出装置、处理装置和基板搬送容器的除电方法技术领域本发明涉及一种基板搬入搬出装置、基板处理装置和基板搬送容器的除电方法。背景技术在半导体制造装置中，已知一种抑制FOUPFrontOpeningUnifiedPod：前开式晶圆盒的搬送区域的微粒经由FOUP的盖体而混入到基板搬送区域的盖体开闭装置例如参照专利文献1。上述的盖体开闭装置具备：载置台，其以使FOUP的盖体的前表面朝向由开闭门进行打开和关闭的搬送口的方式载置FOUP；气体喷出口，其设置于与FOUP相向的相向面部；以及进退机构，其使被载置于载置台的FOUP相对于相向面部相对地进退。而且，在从气体喷出口至FOUP的盖体为止的距离为5mm以下时向盖体供给吹扫气体，由此在盖体与相向面部之间流动的吹扫气体的流速增大，能够容易地去除盖体的微粒。专利文献1：日本特开2012-204645号公报发明内容发明要解决的问题然而，在上述的装置中，难以去除附着于FOUP的内表面的微粒。存在附着于FOUP的内表面的微粒附着于FOUP中收纳的基板、在拆卸FOUP的盖体时混入到基板搬送区域的情况。因此，在本发明的一个方式中，其目的在于提供一种能够对FOUP的内表面进行除电，抑制微粒向FOUP的内表面附着的基板搬入搬出装置。用于解决问题的方案为了实现上述目的，本发明的一个方式所涉及的基板搬入搬出装置具有：隔壁，其划分出基板搬送区域和容器搬送区域；搬送口，其形成于所述隔壁；以及气体供给机构，其从所述搬送口的开口缘部向使基板收纳容器的取出口的开口缘部与所述搬送口的开口缘部紧密接合后的基板收纳容器的内部吹送被电离了的气体。发明的效果根据公开的基板搬入搬出装置，能够对FOUP的内表面进行除电，抑制微粒向FOUP的内表面的附着。附图说明图1是本发明的实施方式所涉及的基板处理装置的概要结构图。图2是本发明的实施方式所涉及的基板处理装置的概要俯视图。图3是承载件和开闭门的纵截面图。图4是承载件和开闭门的横截面图。图5是搬送口和承载件的立体图。图6是表示承载件的除电方法的一例的流程图。图7是表示承载件的除电方法的一例的工序图1。图8是表示承载件的除电方法的一例的工序图2。图9是表示承载件的除电方法的一例的工序图3。图10是表示承载件的除电方法的一例的工序图4。图11是表示承载件的除电方法的一例的工序图5。附图标记说明1：基板处理装置；10：壳体；11：隔壁；12：搬送口；22：处理容器；27：晶圆搬送机构；40：承载件；43：取出口；44：开口缘部；50：开闭门；60：盖体开闭机构；70：气体供给机构；71：气体供给管；72：喷出口；73：气体供给管线；74：气体供给源；75：电离器；77：电位计；100：控制部；S10：承载件搬送区域；S20：晶圆搬送区域；W：晶圆。具体实施方式以下参照附图来说明具体实施方式。此外，在本说明书和附图中对实质上相同的结构标注相同的标记，由此省略重复的说明。基板处理装置对具备本发明的实施方式所涉及的基板搬入搬出装置的基板处理装置进行说明。本发明的实施方式所涉及的基板搬入搬出装置能够应用于各种基板处理装置，但为了容易理解，以使用立式热处理装置来作为基板处理装置的一例的情况为例进行说明。图1是本发明的实施方式所涉及的基板处理装置的概要结构图。图2是本发明的实施方式所涉及的基板处理装置的概要俯视图。基板处理装置1构成为被收容于构成装置的外壳体的壳体10中。在壳体10内形成有承载件搬送区域S10和晶圆搬送区域S20。承载件搬送区域S10和晶圆搬送区域S20是通过隔壁11划分出的。在隔壁11上设置有使承载件搬送区域S10与晶圆搬送区域S20连通并用于搬送晶圆W的搬送口12。搬送口12被依据FIMSFront-OpeningInterfaceMechanicalStandard：前开式接口机械标准标准的开闭门50进行打开和关闭。开闭门50与驱动机构51连接，开闭门50构成为借助驱动机构51在前后方向以及上下方向上自由移动，以打开和关闭搬送口12。此外，在后面对搬送口12和开闭门50的周围的结构进行叙述。另外，以下将承载件搬送区域S10和晶圆搬送区域S20的排列方向设为基板处理装置1的前后方向。将承载件搬送区域S10设为大气气氛。承载件搬送区域S10是用于将收纳了作为基板的一例的半导体晶圆以下称作“晶圆W”。的承载件40搬入到基板处理装置1或从基板处理装置1搬出的区域。承载件40例如可以是FOUPFront-OpeningUnifiedPod。通过将FOUP内的清洁度保持为规定的水平，能够防止异物向晶圆W的表面的附着、自然氧化膜的形成。承载件搬送区域S10包括第一搬送区域S11和位于第一搬送区域S11的后方晶圆搬送区域S20侧的第二搬送区域S12。在第一搬送区域S11的左右方向上设置有两个用于载置承载件40的第一载置台14。在第一载置台14的用于载置承载件40的面上设置有用于对承载件40进行定位的多个例如三个定位销14a。在第二搬送区域S12中，以与第一载置台14前后排列的方式，在左右方向配置有两个第二载置台16。第二载置台16构成为借助进退机构17前后自由移动，在用于将晶圆W从承载件40交接到晶圆搬送区域S20的交接位置与从承载件搬送机构19接受承载件40的接受位置之间搬送承载件40。在第二载置台16的用于载置承载件40的面上设置有用于对承载件40进行定位的多个例如三个定位销16a和用于固定承载件40的钩部16b。在第二搬送区域S12的上部设置有用于保管承载件40的承载件保管部18。承载件保管部18例如包括两层的架，各架能够在左右方向上载置两个承载件40。在第二搬送区域S12中设置有在第一载置台14、第二载置台16、以及承载件保管部18之间搬送承载件40的承载件搬送机构19。承载件搬送机构19具备沿左右方向延伸且自由升降的引导部19a、一边被引导部19a引导一边在左右方向上移动的移动部19b以及关节臂19c，该关节臂19c设置于移动部19b，保持承载件40并沿水平方向搬送承载件40。晶圆搬送区域S20为从承载件40取出晶圆W并实施各种处理的区域。将晶圆搬送区域S20设为非活性气体气氛，例如氮气N2气氛，以防止在晶圆W上形成氧化膜。在晶圆搬送区域S20中设置有将下端作为炉口而开口的立式的处理容器22。在处理容器22的下方，将以棚架状保持多张晶圆W的晶圆舟23隔着绝热部24而载置在盖部25上。盖部25支承在升降机构26上，借助升降机构26将晶圆舟23搬入到处理容器22或将晶圆舟23从处理容器22搬出。在晶圆舟23与搬送口12之间设置有晶圆搬送机构27。晶圆搬送机构27构成为在移动体27b上设置有五个自由进退的臂27c，其中，移动体27b沿着左右方向延伸的引导机构27a移动并且绕铅垂轴转动，晶圆搬送机构27在晶圆舟23与第二载置台16上的承载件40之间搬送晶圆W。图3是承载件40和开闭门50的纵截面图。图4是承载件40和开闭门50的横截面图。图5是搬送口12和承载件40的立体图。承载件40包括作为容器主体的承载件主体41和盖体42。在承载件主体41内的左右侧设置有多层用于支承晶圆W的背面侧周缘部的支承部41a。在承载件主体41的前表面形成有用于从承载件40的内部取出晶圆W的取出口43。在取出口43的开口缘部44的内周侧的上下侧，在左右分别形成有卡合槽44a。在承载件主体41的上部设置有把持部41b，把持部41b在承载件搬送机构19搬送承载件40时由承载件搬送机构19进行把持。在承载件主体41的下部设置有凹部45a和槽部45b。凹部45a与第一载置台14及第二载置台16的定位销14a、16a嵌合。槽部45b与第二载置台16的钩部16b卡合，从而将承载件主体41固定于第二载置台16。在盖体42的内部，在左右侧设置有转动部46。在转动部46的上下设置有沿垂直方向延伸的直动部47。直动部47构成为与转动部46的转动相应地进行升降，在该直动部47的顶端从盖体42的侧面突出的状态与退避到盖体42内的状态之间进行切换。此外，在图5中示出直动部47的顶端退避的状态。通过使直动部47的顶端与承载件主体41的卡合槽44a卡合，来使盖体42与承载件主体41卡合。在盖体42的前表面设置有用于将闩锁钥匙latchkey69a插入到盖体42的内部的开口48。在盖体42的前表面形成有对位用的凹坑401。构成为相向的相向板61的对准销registrationpin601能够插入到对位用的凹坑401中来进行相向板61与承载件40之间的对位。所述的对准销601可以设为如下结构：构成为管状，在被插入到凹坑401时进行真空吸附而能够保持盖体42。在搬送口12的靠承载件搬送区域S10侧的开口缘部，在供承载件主体41的开口缘部44抵接的位置设置有密封构件13。开闭门50形成为开闭门50的周缘部朝向承载件搬送区域S10侧弯曲的箱体。在箱体的开口缘部设置有密封构件52，开闭门50经由密封构件52而与搬送口12的开口缘部紧密接合。在开闭门50的靠承载件搬送区域S10侧设置有用于打开和关闭盖体42的盖体开闭机构60。盖体开闭机构60具备相向板61和使相向板61在前后方向上移动的进退机构62。相向板61具备与被载置于第二载置台16的盖体42的前表面相向的相向面部63。从相向面部63沿相向面部63的厚度方向伸出有棒状的连接部69，在连接部69的顶端设置有圆棒状的闩锁钥匙69a。通过使连接部69绕其轴转动，闩锁钥匙69a也转动。闩锁钥匙69a形成为能够与盖体42的转动部46卡合且使转动部46转动。气体供给机构70从搬送口12的开口缘部向使承载件40的取出口43的开口缘部44与搬送口12的开口缘部紧密接合后的承载件40的内部吹送被电离了的气体。气体供给机构70具有气体供给管71、喷出口72、气体供给管线73、气体供给源74以及电离器Ionizer75。如图4所示，气体供给管71垂直地设置于搬送口12的侧缘部侧。气体供给管71例如由截流过滤器日文：ブレイクフィルター，英文：Breakfilter构成。截流过滤器为陶瓷等具有多孔质构造的烧结体，多个气孔彼此连通，从而以三维网眼状形成气体的流路。在气体供给管71的上下形成喷出口72。喷出口72构成为能够将被供给到气体供给管71中的气体朝向承载件40喷出。气体供给管线73的一端与气体供给管71连接，另一端与气体供给源74连接。气体供给源74向气体供给管线73供给N2气。另外，也可以使用Ar等其它非活性气体来代替N2气。电离器75设置在气体供给管线73上，将流过气体供给管线73的N2气电离。电离器75例如可以是利用电晕放电的方式，也可以是利用软X射线、紫外线等电离辐射线的方式。另外，也可以在电离器75的后级设置用于去除微粒的过滤器。在所述的结构的气体供给机构70中，从气体供给源74向气体供给管线73供给N2气，所供给的N2气被电离器75电离，从气体供给管71的喷出口72喷出。具体地说，例如在使承载件40的开口缘部44与搬送口12的靠承载件搬送区域S10侧的开口缘部紧密接合且借助盖体开闭机构60从承载件40拆卸下盖体42来使取出口43打开的状态下，从喷出口72喷出被电离了的N2气。由此，被电离了的N2气全部流入到承载件40的内部。其结果是，承载件40的内表面被除电，抑制微粒向承载件40的内表面的附着。另外，即使在承载件40的内表面附着有微粒的情况下，也能够通过被吹送到承载件40的内部的被电离了的N2气来去除微粒。另外，也可以是，例如在使承载件40的开口缘部44与搬送口12的靠承载件搬送区域S10侧的开口缘部紧密接合且承载件40的取出口43被盖体42关闭的状态下，从喷出口72喷出被电离了的N2气。在该情况下，被电离了的N2气被吹送到由承载件40盖体42和开闭门50围成的封闭空间。其结果是，封闭空间被N2气置换，并且形成封闭空间的盖体42的靠晶圆搬送区域S20侧、开闭门50的内表面、盖体开闭机构60等被除电。在搬送口12的下端部设置有横长的排气口76。排气口76用于排出从气体供给管71的喷出口72喷出的气体。另外，在开闭门50的朝向承载件搬送区域S10侧弯曲的部分中的下部的内表面设置有电位计77。在由开闭门50关闭搬送口12且由盖体开闭机构60打开承载件40的盖体42时，电位计77检测承载件40的内表面所带的静电的电位。作为电位计77，例如能够使用非接触式的表面电位计。此外，设置电位计77的位置也可以为其它的位置，只要是能够检测承载件40的内表面所带的静电的电位的位置即可。在基板处理装置1设置有例如由计算机构成的控制部100。控制部100具备程序、存储器、由CPU构成的数据处理部等。在程序中编入有命令各步骤以从控制部100向基板处理装置1的各部发送控制信号来进行后述的各处理工序。根据控制信号来控制第二载置台16的进退、承载件40的搬送、盖体开闭机构60的进退、晶圆W的搬送、盖体42的打开和关闭、开闭门50的打开和关闭、N2气向盖体42的供给、电离器75的接通和断开等动作，进行对晶圆W的搬送和处理。程序保存在计算机存储介质例如软盘、光盘、硬盘、MO磁光盘和存储卡等存储介质中来被安装到控制部100中。除电方法接着，参照图6至图11来说明控制部100控制基板处理装置1的各部来对承载件40的内表面进行除电的方法的一例。图6是表示承载件40的除电方法的一例的流程图。图7至图11是表示承载件40的除电方法的一例的工序图。首先，进行搬出承载件40内的晶圆W的准备步骤ST1。具体地说，在由自动搬送机器人未图示将承载件40载置于第一载置台14后，由承载件搬送机构19将承载件40从第一载置台14搬送到第二载置台16，并且利用钩部16b将承载件40固定在第二载置台16上。接着，由进退机构17使第二载置台16朝向隔壁11的搬送口12前进。承载件40前进，移动到用于交接晶圆W的交接位置，承载件40的开口缘部44与隔壁11的搬送口12的周围的密封构件13抵接，在承载件40与开闭门50之间形成封闭空间。并且，盖体开闭机构60的闩锁钥匙69a与盖体42内的转动部46卡合。闩锁钥匙69a转动90度，解除盖体42与承载件主体41之间的卡合并且使盖体42保持于闩锁钥匙69a。然后，在闩锁钥匙69a保持了盖体42的状态下使相向板61朝向开闭门50后退，承载件主体41的取出口43打开。开闭门50在后退之后下降，以从搬送口12退避，承载件40内向晶圆搬送区域S20打开参照图7。接着，搬出承载件40内的晶圆W步骤ST2。具体地说，由晶圆搬送机构27依次取出承载件40内的晶圆W并移载到晶圆舟23。当承载件40内的晶圆W全部被取出时，承载件40内成为空的状态参照图8。接着，由开闭门50关闭搬送口12步骤ST3。具体地说，使退避的开闭门50在上升后前进，由此由开闭门50关闭搬送口12参照图9。接着，向承载件40的内表面吹送被电离了的N2气步骤ST4。具体地说，使电离器75开始动作，从喷出口72向承载件40的内部吹送被电离了的N2气参照图10。由此，承载件40的内表面被除电，抑制微粒向承载件40的内表面的附着。另外，即使在承载件40的内表面附着有微粒的情况下，微粒也因被吹送到承载件40的内部的被电离了的N2气而被去除。在从使电离器75开始动作起经过规定时间后，使电离器75停止动作。对于规定时间，例如能够在向承载件40的内部吹送被电离了的N2气之前利用电位计77测量承载件40的内表面的带电量，基于测量出的带电量和预先存储在存储部中的吹送时间设定表格计算时间，将该时间设为规定时间，其中，所述吹送时间设定表格表示带电量与除电所需的被电离了的N2气的吹送时间之间的关系。另外，也可以代替规定时间，例如一边向承载件40的内表面吹送被电离了的N2气一边利用电位计77测量承载件40的内表面的带电量，在测量出的带电量为规定的带电量以下之后，使电离器75停止动作。另外，例如还可以是，在向承载件40的内表面以预先决定的时间吹送被电离了的N2气之后，利用电位计77测量承载件40的内表面的带电量，在测量出的带电量为规定的带电量以下的情况下，使电离器75停止动作，在测量出的带电量比规定的带电量大的情况下，再次向承载件40的内表面以预先决定的时间吹送被电离了的N2气。另外，例如还可以是，在排气口76侧设置气中微粒测定器，测量从排气口76排出的气体中包含的微粒量的变化，基于测量出的微粒量的变化来使电离器75停止动作。另外，例如还可以组合这些方法来决定使电离器75停止动作的定时。接着，利用盖体42关闭承载件40的取出口43步骤ST5。具体地说，通过与前述的动作相反的动作来利用盖体42关闭承载件主体41的取出口43，将盖体42固定于承载件主体41参照图11。接下来，第二载置台16后退，承载件40从隔壁11离开，由承载件搬送机构19将该承载件40搬送到承载件保管部18暂时进行保管。另一方面，将搭载有晶圆W的晶圆舟23搬入到处理容器22内，对晶圆W进行CVD、退火处理、氧化处理等处理。之后，由承载件搬送机构19将被暂时保管于承载件保管部18的承载件40搬送到第二载置台16，通过与前述的过程相同的过程，拆卸盖体42，使承载件主体41的取出口43打开。然后，将处理结束的晶圆W收纳在承载件40内。此时，由于承载件40的内表面因被电离了的N2气而被除电，在承载件40的内表面几乎没有微粒附着，因此能够抑制微粒向处理结束的晶圆W的附着。此外，在上述的例子中，在使电离器75停止动作后关闭承载件40的盖体42，但也可以是，例如一边向承载件40的内表面吹送被电离了的N2气一边关闭盖体42。由此，也能够对盖体42的靠晶圆搬送区域S20侧、盖体开闭机构60、开闭门50的内表面等进行除电，能够抑制微粒向盖体42的靠晶圆搬送区域S20侧、盖体开闭机构60、开闭门50的内表面等的附着。另外，即使在盖体42的靠晶圆搬送区域S20侧、盖体开闭机构60、开闭门50的内表面等附着有微粒的情况下，对于承载件40的内表面，也能够通过被电离了的N2气去除微粒。另外，在上述的例子中，以在紧接着从承载件40搬出晶圆W之后向承载件40的内部吹送被电离了的N2气来对承载件40的内表面进行除电的情况为例进行了说明，但并不限定于此。例如，也可以在要将在处理容器22中进行了规定处理后的晶圆W搬入到承载件40之前向承载件40的内部吹送被电离了的N2气，来对承载件40的内表面进行除电。如以上所说明的那样，在本发明的实施方式中，具有从搬送口12的开口缘部向使承载件40的取出口43的开口缘部44与搬送口12的开口缘部紧密接合后的承载件40的内部吹送被电离了的气体的气体供给机构70。由此，能够向承载件40的内部吹送被电离了的N2气，因此能够对承载件40的内表面进行除电，抑制微粒向承载件40的内表面的附着。因此，能够抑制在被收纳于承载件40的晶圆W上附着微粒、或者在拆卸承载件40的盖体42时微粒混入到晶圆搬送区域S20。另外，即使在承载件40的内表面附着有微粒的情况下，也能够通过被吹送到承载件40的内部的被电离了的N2气来去除微粒。并且，在将承载件40搬送到下一工序并打开和关闭了盖体42的情况下，由于承载件40的内表面被除电，因此即使在下一工序中在载置承载件40的区域中有微粒悬浮，也能够抑制微粒附着于承载件40的内表面。此外，在上述的实施方式中，承载件40为基板收纳容器的一例，承载件搬送区域S10为容器搬送区域的一例，晶圆搬送区域S20为基板搬送区域的一例。另外，电离器75为电离装置的一例。以上对具体实施方式进行了说明，但上述内容并不用于限定发明的内容，能够在本发明的范围内进行各种变形和改良。在上述的实施方式中，以基板为半导体晶圆的情况为例进行了说明，但并不限定于此，例如基板也可以为玻璃基板、LCD基板。

权利要求：1.一种基板搬入搬出装置，具有：隔壁，其划分出基板搬送区域和容器搬送区域；搬送口，其形成于所述隔壁；以及气体供给机构，其从所述搬送口的开口缘部向使基板收纳容器的取出口的开口缘部与所述搬送口的开口缘部紧密接合后的基板收纳容器的内部吹送被电离了的气体。2.根据权利要求1所述的基板搬入搬出装置，其特征在于，所述气体供给机构具有：气体供给管，其形成于所述隔壁，具有喷出所述气体的喷出口；气体供给管线，其与所述气体供给管连通，向所述气体供给管供给所述气体；以及电离装置，其设置于所述气体供给管线，使在所述气体供给管线中流动的所述气体电离。3.根据权利要求2所述的基板搬入搬出装置，其特征在于，具有：电位计，其检测所述基板收纳容器的内表面的电位；以及控制部，其基于由所述电位计检测出的所述基板收纳容器的内表面的电位来控制所述电离装置的动作。4.根据权利要求3所述的基板搬入搬出装置，其特征在于，具有开闭门，所述开闭门用于打开和关闭所述搬送口，所述电位计安装于所述开闭门。5.一种基板处理装置，具有：根据权利要求1至4中的任一项所述的基板搬入搬出装置；搬送机构，其设置于所述基板搬送区域内，用于搬送基板；以及处理容器，其设置于所述基板搬送区域内。6.一种基板收纳容器的除电方法，具有以下工序：使基板收纳容器的取出口的开口缘部同形成于隔壁的搬送口的开口缘部紧密接合，该隔壁划分出基板搬送区域和容器搬送区域；以及从所述搬送口的开口缘部向所述基板收纳容器的内部吹送被电离了的气体。7.根据权利要求6所述的基板收纳容器的除电方法，其特征在于，具有以下工序：在从所述搬送口的开口缘部向所述基板收纳容器的内部吹送被电离了的气体的工序之前，通过用于打开和关闭所述搬送口的开闭门封闭所述搬送口。8.根据权利要求6或7所述的基板收纳容器的除电方法，其特征在于，在拆卸下用于封闭所述基板收纳容器的所述取出口的盖体的状态下进行从所述搬送口的开口缘部向所述基板收纳容器的内部吹送被电离了的气体的工序。9.根据权利要求6至8中的任一项所述的基板收纳容器的除电方法，其特征在于，在所述基板收纳容器的内部没有收纳基板的状态下进行从所述搬送口的开口缘部向所述基板收纳容器的内部吹送被电离了的气体的工序。10.根据权利要求6至9中的任一项所述的基板收纳容器的除电方法，其特征在于，具有以下工序：在从所述搬送口的开口缘部向所述基板收纳容器的内部吹送被电离了的气体的工序之后，利用盖体来封闭所述基板收纳容器的所述取出口。

百度查询： 东京毅力科创株式会社 基板搬入搬出装置、处理装置和基板搬送容器的除电方法

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