申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2020-11-19

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN112837730B

主分类号：G11C11/412

分类号：G11C11/412;G11C11/419

优先权：["20191125 US 16/693,677"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.26#授权;2021.06.11#实质审查的生效;2021.05.25#公开

摘要：SRAM包括多个存储器单元，每个存储器单元包括数据存储单元；数据IO控件，用于将数据输入到数据线BL以及从数据线BL输出数据；以及多个存取控件，分别连接到至少两个存取控制线WL并且用于启用和禁用来自至少两个WLWX和WY的数据输入和输出。存取控件配置为仅当两个WL处于其相应的状态时允许数据输入。一种写入SRAM单元组的方法包括：经由第一WL向单元发送第一写入启用信号，向相应的单元发送相应的第二写入启用信号的组，以及对于每个单元，如果第一写入启用信号和相应的第二写入启用信号中的任何一个处于禁用状态，则防止将数据写入单元。本发明的实施例还涉及存储器单元、存储器阵列、SRAM器件及其方法。

主权项：1.一种存储器单元，包括：数据存储器，具有输入和输出，并且用于在所述输出处将输出信号保持在与所述输入处的输入信号的状态相对应的状态；以及存取控件，用于向所述数据存储器输入和从所述数据存储器输出数据，所述存取控件包括：读取存取控件，用于从读取存取控制线接收在至少一个读取启用状态和至少一个读取禁用状态之间可选择的读取存取控制信号，并且当所述读取存取控制信号处于所述读取启用状态时输出与所述数据存储器的所述输出处的所述输出信号相对应的读取信号线的信号；第一写入存取控件，用于从第一写入存取控制线接收在至少一个写入启用状态和至少一个写入禁用状态之间可选择的第一写入存取控制信号；和第二写入存取控件，用于从第二写入存取控制线接收在至少一个写入启用状态与至少一个写入禁止状态之间可选择的第二写入存取控制信号，所述第一写入存取控件和所述第二写入存取控件协作地用于仅当所述第一写入存取控制信号和所述第二写入存取控制信号均处于其相应的写入启用状态时，允许将来自写入信号线的数据信号写入到所述数据存储器的所述输入，其中，所述第一写入存取控件包括用于从相应的第一写入存取控制线对接收相应的第一写入存取控制信号对的第一写入存取输入对；所述第二写入存取控件包括用于从相应的第二写入存取控制线对接收相应的第二对写入存取控制信号对的第二写入存取输入对。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器单元、存储器阵列、SRAM器件及其方法

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