申请/专利权人：中国石油大学(华东)

申请日：2021-10-22

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN114300568B

主分类号：H01L31/109

分类号：H01L31/109;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/35

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.26#授权;2022.06.21#实质审查的生效;2022.04.08#公开

摘要：本发明公开一种具有室温超快红外响应的SnSe纳米棒阵列异质结器件及其制备方法。该方法包括：选取双面抛光单晶Si基底；利用磁控溅射技术在基底上表面沉积SnSe纳米棒阵列薄膜层；在薄膜层表面沉积透明电极层和在基底下表面沉积金属电极层。基于器件内部存在的异质界面增强的光‑热‑电转换原理，器件在室温条件下对红外光具有明显的响应性能，且其响应速度超快。本发明的红外光电探测器件具有耗能少、红外响应度和红外探测率高和性能稳定性强等优点；其制备工艺简单、成品率高、无毒无污染，适于规模化工业生产。

主权项：1.一种具有室温超快红外响应的SnSe纳米棒阵列异质结器件，其特征在于，为层状结构，由下至上依次包括金属下电极层、单晶Si半导体基底、SnSe纳米棒阵列薄膜层和透明上电极层，其中：所述金属下电极层为Al、Cu和Ag等金属中的一种，是通过直流磁控溅射沉积于基底下表面，其厚度为50-300nm；所述单晶Si半导体基底为上下表面双面抛光的单晶体，其具有电子导电类型的N型半导体，其电阻率为0.5-10.0Ωcm，其厚度为50-200μm；所述SnSe纳米棒阵列薄膜层通过直流磁控溅射沉积于所述基底表面上，其具有100晶格取向，其厚度为100-300nm；所述透明上电极层为氧化铟锡ITO薄膜材料，通过直流磁控溅射沉积于所述SnSe纳米棒阵列薄膜层的表面上，其厚度为50-120nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国石油大学(华东) 一种具有室温超快红外响应的SnSe纳米棒阵列异质结器件及其制备方法

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