申请/专利权人：合肥工业大学

申请日：2023-09-15

公开（公告）日：2023-12-15

公开（公告）号：CN117241647A

主分类号：H10N10/01

分类号：H10N10/01;H10N10/852;B82Y30/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.02#实质审查的生效;2023.12.15#公开

摘要：本发明公开了一种晶粒可控生长的多晶SnSe基复合材料的制备方法，包括以下步骤：分别以Se粉和SnCl2·2H2O作为阴离子前驱体、阳离子前驱体，采用氢氧化钠来调控阳离子溶液的pH得到锡源前驱物，硼氢化钠还原Se粉得到硒源前驱物，将锡源前驱物和硒源前驱物在加热沸腾的水溶液中反应，然后离心洗涤得到多晶SnSe纳米晶基体；利用硫属化物分子配体表面修饰多晶基体SnSe纳米晶，得到表面有分子配体涂层的SnSe纳米晶@分子配体粉末，然后进行退火和烧结致密化处理，制备获得晶粒可控生长的多晶SnSe基复合材料。本发明能够简便有效地调控其最终制备的材料的晶粒生长尺寸，该制备工艺简单、能耗低、产率高，适合大批量快速合成，因而具有很好的实际应用前景。

主权项：1.一种晶粒可控生长的多晶SnSe基复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1分别以Se粉和SnCl2·2H2O作为阴离子前驱体、阳离子前驱体，采用氢氧化钠来调控阳离子溶液的pH得到锡源前驱物，硼氢化钠还原Se粉得到硒源前驱物，将锡源前驱物和硒源前驱物在加热沸腾的水溶液中反应，然后离心洗涤得到多晶SnSe纳米晶基体；2利用硫属化物分子配体表面修饰多晶基体SnSe纳米晶，得到表面有分子配体涂层的SnSe纳米晶@分子配体粉末，将SnSe纳米晶@分子配体粉末进行退火和烧结致密化处理，制备获得多晶SnSe基复合材料，当硫属化物分子配体为与多晶SnSe纳米晶基体可混溶的掺杂剂时，促进多晶SnSe基复合材料的晶粒生长，当硫属化物分子配体为与多晶SnSe纳米晶基体不可混溶的掺杂剂时，抑制多晶SnSe基复合材料的晶粒生长。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥工业大学 一种晶粒可控生长的多晶SnSe基复合材料的制备方法

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