申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2022-10-11

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117795658A

主分类号：H01L21/687

分类号：H01L21/687;H01L21/67;H01J37/32;C23C16/458

优先权：["20220311 US 17/693,037"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：示例性半导体处理腔室可包括腔室主体。腔室可包括喷头。腔室可包括基板支撑件。基板支撑件可包括压板，所述压板由面向喷头的第一表面表征。基板支撑件可包括轴，所述轴沿着压板的与压板的第一表面相对的第二表面与压板耦接。轴可至少部分地延伸穿过腔室主体。涂层可围绕压板的第一表面共形地延伸。涂层可包括接近压板第一表面的第一硅层，并且可包括上覆于第一硅层的第二材料层。

主权项：1.一种半导体处理腔室，包括：腔室主体；喷头；以及基板支撑件，所述基板支撑件包括：压板，所述压板由面向所述喷头的第一表面表征，以及轴，所述轴沿着所述压板的与所述压板的所述第一表面相对的第二表面与所述压板耦接，其中所述轴至少部分地延伸穿过所述腔室主体，其中涂层围绕所述压板的所述第一表面共形地延伸，并且其中所述涂层包括接近所述压板的所述第一表面的第一硅层和上覆于所述第一硅层的第二材料层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 具有多层涂层的半导体腔室部件

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