申请/专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司

申请日：2022-09-20

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790291A

主分类号：H01L21/28

分类号：H01L21/28;H01L21/336;H01L29/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种栅极形貌的改善方法，包括：提供形成有鳍部和伪栅极的衬底，伪栅极在与鳍部侧壁交界处存在材料残留部；在衬底上形成覆盖至鳍部顶面的第一牺牲层，露出位于鳍部顶面以上的伪栅极的部分；在露出的伪栅极的部分的表面上形成保护层，然后，去除第一牺牲层；执行快速氧化工艺，使露出的材料残留部被氧化；在衬底上形成覆盖至鳍部顶面的第二牺牲层，露出位于鳍部顶面以上并具有保护层的伪栅极的部分；依次去除保护层和第二牺牲层；在衬底上形成覆盖鳍部和伪栅极的层间介质层，并通过平坦化露出伪栅极的顶部；去除被氧化的材料残留部以外的伪栅极材料。本发明通过改善栅极形貌，提高了良率和性能，保证了顺利量产。

主权项：1.一种栅极形貌的改善方法，其特征在于，包括：提供形成有鳍部和横跨在所述鳍部上的伪栅极的衬底；其中，在所述伪栅极与所述鳍部侧壁的交界处存在形成所述伪栅极时的伪栅极材料残留部；在所述衬底上形成覆盖至所述鳍部顶面的第一牺牲层，露出位于所述鳍部顶面以上的所述伪栅极的部分；在露出的所述伪栅极的部分的表面上形成保护层，然后，去除所述第一牺牲层；执行快速氧化工艺，使露出的所述伪栅极材料残留部被氧化；在所述衬底上形成覆盖至所述鳍部顶面的第二牺牲层，露出位于所述鳍部顶面以上并具有所述保护层的所述伪栅极的部分；依次去除所述保护层和所述第二牺牲层；在所述衬底上形成覆盖所述鳍部和所述伪栅极的层间介质层，并通过平坦化露出所述伪栅极的顶部；去除被氧化的所述伪栅极材料残留部以外的所述伪栅极材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 一种栅极形貌的改善方法

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