申请/专利权人：深圳顺络电子股份有限公司

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117809924A

主分类号：H01F1/153

分类号：H01F1/153;H01F1/24;H01F27/255;H01F27/34;H01F41/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明涉及电感材料的技术领域，具体涉及一种低损耗纳米晶复合材料及其制备方法和应用。本申请公开了一种低损耗纳米晶复合材料，包括绝缘层包覆的金属，以及非晶纳米合金；所述绝缘层的厚度为30‑50nm；所述纳米晶复合材料的粒度为20‑120μm；所述非晶纳米合金的粒度为9‑40μm；本申请所述的纳米晶复合材料，通过降低非晶纳米合金的净化温度，利用其晶化过程的应力消除效应可以大幅度的降低压制导致的磁滞损耗上升问题。

主权项：1.一种低损耗纳米晶复合材料，其特征在于，包括绝缘层包覆的金属，以及非晶纳米合金；所述绝缘层的厚度为30-50nm；所述纳米晶复合材料的粒度为20-120μm；所述非晶纳米合金的粒度为9-40μm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳顺络电子股份有限公司 一种低损耗纳米晶复合材料及其制备方法和应用

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