申请/专利权人:三星电子株式会社
申请日:2023-07-31
公开(公告)日:2024-04-02
公开(公告)号:CN117806125A
主分类号:G03F7/16
分类号:G03F7/16;H01L21/67;G03F7/20;G03F7/30;G03F7/42
优先权:["20220930 KR 10-2022-0125115"]
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.04.02#公开
摘要:衬底处理系统包括:涂布装置,被配置为在半导体衬底上涂布光刻胶膜;曝光装置,被配置为将光照射到光刻胶膜上以形成光刻胶图案区域;显影系统,被配置为从光刻胶膜去除除了光刻胶图案区域以外的不必要的区域以形成光刻胶图案,所述显影系统包括湿式显影装置和干式显影装置,所述湿式显影装置被配置为使用显影液来去除不必要的区域,所述干式显影装置被配置为使用显影气体来去除不必要的区域;清洁装置,包括清洁室并且被配置为去除在半导体衬底的边缘区域上的光刻胶膜或光刻胶图案的边缘球状物;以及加热装置,被配置为加热光刻胶膜或光刻胶图案。
主权项:1.一种衬底处理系统,所述衬底处理系统包括:涂布装置,所述涂布装置被配置为在半导体衬底上涂布光刻胶膜;曝光装置,所述曝光装置被配置为将光照射到所述光刻胶膜上以形成光刻胶图案区域;显影系统,所述显影系统被配置为从所述光刻胶膜去除除了所述光刻胶图案区域以外的不必要的区域以形成光刻胶图案,所述显影系统包括湿式显影装置和干式显影装置,所述湿式显影装置被配置为使用显影液来去除所述不必要的区域,所述干式显影装置被配置为使用显影气体来去除所述不必要的区域;清洁装置,所述清洁装置包括清洁室并且被配置为去除在所述半导体衬底的边缘区域上的所述光刻胶膜或所述光刻胶图案的边缘球状物;以及加热装置,所述加热装置被配置为加热所述光刻胶膜或所述光刻胶图案。
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