申请/专利权人:西安电子科技大学
申请日:2024-01-17
公开(公告)日:2024-04-02
公开(公告)号:CN117810686A
主分类号:H01Q1/38
分类号:H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q5/30;H01Q5/335;H01Q21/00
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开
摘要:一种双频双圆极化毫米波阵列天线,多层PCB结构,包括由下至上依次连接的馈电层、辐射层和阻抗匹配层;馈电层中存在共面波导到不对称基片集成同轴线ASICL的过渡结构,通过过渡金属盲孔实现共面波导与非对称基片集成同轴线馈电网络的过渡;馈电层与辐射层之间存在馈电结构,辐射贴片单元由非对称基片集成同轴线馈电网络以及连接两者的馈电金属盲孔进行馈电,馈电金属盲孔穿过辐射层与非对称基片集成同轴线馈电网络以及第二金属地层相连接,能量由共面波导进入,通过馈电层的引导进入辐射层;本发明实现了辐射单元的紧耦合阵列以及天线整体的高度集成化,所设计的天线具有低损耗,超宽带,低副瓣等优点。
主权项:1.一种双频双圆极化毫米波阵列天线,其特征在于,包括由下至上依次连接的馈电层3、辐射层2和阻抗匹配层1。
全文数据:
权利要求:
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