申请/专利权人：英特尔公司

申请日：2023-08-30

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810221A

主分类号：H01L27/02

分类号：H01L27/02

优先权：["20220930 US 17/957,821"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.02#公开

摘要：公开了具有不对称的沟道到栅极切口间距的栅极切口。集成电路包括第一装置和横向相邻的第二装置。第一装置包括：第一主体，其包括从第一源极区域延伸到第一漏极区域的半导体材料；以及位于第一主体上的第一栅极结构。第二装置包括：第二主体，其包括从第二源极区域延伸到第二漏极区域的半导体材料；以及位于第二主体上的第二栅极结构。包括电介质材料的栅极切口位于第一栅极结构与第二栅极结构之间，并且将二者横向地分隔开。第一主体与栅极切口横向地分隔开第一距离，并且第二主体与栅极切口横向地分隔开第二距离。在示例中，第一距离和第二距离相差至少2纳米。在示例中，第一装置和第二装置是基于鳍状物的装置或者是全环绕栅极装置。

主权项：1.一种集成电路，包括：第一半导体装置，其包括：i第一源极区域，ii第一漏极区域，iii包括在第一方向上从所述第一源极区域延伸到所述第一漏极区域的半导体材料的第一主体，以及iv在第二方向上延伸并且位于所述第一主体上的第一栅极结构；第二半导体装置，其包括：i第二源极区域，ii第二漏极区域，iii包括在所述第一方向上从所述第二源极区域延伸到所述第二漏极区域的半导体材料的第二主体，以及iv在所述第二方向上延伸并且位于所述第二主体上的第二栅极结构；以及栅极切口，其横向地位于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间，并且将所述第一栅极结构和所述第二栅极结构分隔开，所述栅极切口包括电介质材料；其中，所述第一主体与所述栅极切口横向地分隔开第一距离，其中，所述第二主体与所述栅极切口横向地分隔开第二距离，并且其中，所述第一距离和所述第二距离相差至少2纳米nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英特尔公司 具有不对称的沟道到栅极切口间距的栅极切口

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD