申请/专利权人：泉州三安半导体科技有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810331A

主分类号：H01L33/14

分类号：H01L33/14;H01L33/20;H01L27/15

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本申请提供一种发光二极管芯片、发光二极管及发光装置。发光二极管芯片包括外延结构和设置于多个外延结构中的多个导电孔，以外延结构的几何中心点为中心点，多个导电孔分布于多个同中心点的相似图形的周向上，沿外延结构的几何中心点到其边缘的直线方向，相邻相似图形到中心点的距离差逐渐减小，通过改变导电孔的分布规律，能够有效提高发光二极管芯片中电流扩散的均匀性，避免电流集中于发光二极管芯片的某个区域，提高发光二极管芯片的光效；同时提高发光二极管芯片的性能和可靠性。

主权项：1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：外延结构，所述外延结构至少包括依次叠置的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第二半导体层具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第二半导体层的所述第一表面与所述有源层连接，所述第二半导体层的所述第二表面背离所述有源层；多个导电孔，所述导电孔设置于所述外延结构中，且贯穿所述第二半导体层、所述有源层以及部分所述第一半导体层；其中，以所述外延结构的几何中心点为中心点，多个所述导电孔分布于多个同中心点的相似图形的周向上，沿所述外延结构的几何中心点到其边缘的直线方向，相邻相似图形到中心点的距离差逐渐减小。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 泉州三安半导体科技有限公司 一种发光二极管芯片、发光二极管及发光装置

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