申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2019-12-27

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN111415883B

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;H01L21/02

优先权：["20190108 JP 2019-001330"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.10.22#实质审查的生效;2020.07.14#公开

摘要：本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置包括：处理部，其用于利用循环的处理液对基片实施处理，处理液的流路中包含含金属材料；处理控制部，其控制处理部以将基片送入处理用的区域而使其暴露于处理液；和吸附控制部，其控制处理部以将吸附处理液中的金属成分的吸附部件送入处理用的区域而使其暴露于处理液。本发明对抑制从含金属材料析出的金属成分附着到基片的附着量是有效的。

主权项：1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：处理部，其用于利用循环的处理液对基片实施处理，所述处理液的流路中包含含金属材料；处理控制部，其控制所述处理部以将所述基片送入处理用的区域而使其暴露于所述处理液；和吸附控制部，其控制所述处理部以将吸附所述处理液中的金属成分的吸附部件送入所述处理用的区域而使其暴露于所述处理液，所述处理部包括：用于利用循环的第1处理液对所述基片实施处理的第1处理部；和用于利用第2处理液对所述基片实施处理的第2处理部，所述第1处理液能够使从所述流路析出的金属成分附着于所述基片，所述第2处理液除去附着于所述基片的金属成分，所述吸附控制部反复进行吸附控制和清洗控制，其中所述吸附控制控制所述处理部以用所述第1处理部将所述吸附部件暴露于所述第1处理液，所述清洗控制控制所述处理部以用所述第2处理部将所述吸附部件暴露于所述第2处理液。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 基片处理装置、基片处理方法和存储介质

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