申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2020-06-22

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN112133751B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H10B12/00

优先权：["20190624 KR 10-2019-0074954"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2022.02.18#实质审查的生效;2020.12.25#公开

摘要：一种半导体器件包括：基板，包括凹陷；第一栅绝缘层，在该凹陷的下部侧壁和底部上，该第一栅绝缘层包括具有滞回特性的绝缘材料；第一栅电极，在该凹陷内且在第一栅绝缘层上；第二栅电极，在该凹陷中接触第一栅电极，该第二栅电极包括与第一栅电极的材料不同的材料；以及杂质区，在基板中且与该凹陷的侧壁相邻，杂质区的底部相对于基板的底部高于第二栅电极的底部。

主权项：1.一种半导体器件，包括：包括凹陷的基板；第一栅绝缘层，在所述凹陷的下部侧壁和底部上，所述第一栅绝缘层包括具有滞回特性的绝缘材料；第一栅电极，在所述凹陷内且在所述第一栅绝缘层上；第二栅电极，在所述凹陷中接触所述第一栅电极，所述第二栅电极包括与所述第一栅电极的材料不同的材料；在所述凹陷与所述第二栅电极之间的第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层在所述第一栅绝缘层的顶表面上并且包括与所述第一栅绝缘层的材料不同的材料；以及杂质区，在所述基板中并与所述凹陷的侧壁相邻，所述杂质区的底部相对于所述基板的底部高于所述第二栅电极的底部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件

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