申请/专利权人：夏普株式会社

申请日：2020-07-22

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN112305819B

主分类号：G02F1/1339

分类号：G02F1/1339;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1337

优先权：["20190726 US 62/878772"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.02.23#实质审查的生效;2021.02.02#公开

摘要：液晶显示装置具备有源矩阵基板、对置基板、液晶层。有源矩阵基板具有：顶栅型的氧化物半导体TFT，其被第一基板支承且配置于各像素；多个栅极布线，其由与氧化物半导体TFT的栅极电极相同的导电膜形成并沿行方向延伸；多个源极布线，其沿列方向延伸且位于比多个栅极布线更靠第一基板侧；以及层间绝缘层，其覆盖多个栅极布线以及氧化物半导体TFT。对置基板具有设置在第二基板上的多个柱状间隔件。各柱状间隔件配置在栅极布线和源极布线交叉的交叉区域。有源矩阵基板的液晶层侧的表面具有：与多个栅极布线重叠的多个第一隆起部和与多个源极布线重叠的多个第二隆起部。

主权项：1.一种液晶显示装置，具备：有源矩阵基板；对置基板，其配置为与所述有源矩阵基板对置；以及液晶层，其设置于所述有源矩阵基板与所述对置基板之间，所述液晶显示装置具有：以具备多个行以及多个列的矩阵状排列的多个像素，所述液晶显示装置的特征在于，所述有源矩阵基板具有：第一基板；氧化物半导体TFT，其为被所述第一基板支承且分别配置于所述多个像素的氧化物半导体TFT，其包含：氧化物半导体层、设置在所述氧化物半导体层上的栅极绝缘层、设置为隔着所述栅极绝缘层而与所述氧化物半导体层对置的栅极电极；多个栅极布线，其由与所述栅极电极相同的导电膜形成，并沿行方向延伸；多个源极布线，其沿列方向延伸，且位于比所述多个栅极布线更靠所述第一基板侧；层间绝缘层，其覆盖所述多个栅极布线以及所述氧化物半导体TFT；以及第一取向膜，其设置为与所述液晶层相接，所述对置基板具有：第二基板；设置在所述第二基板上的柱状间隔件；以及第二取向膜，其设置为与所述液晶层相接，所述柱状间隔件配置在所述多个栅极布线的任一个与所述多个源极布线的任一个交叉的交叉区域，所述有源矩阵基板的所述液晶层侧的表面具有：第一隆起部，在从显示面法线方向观察时与所述多个栅极布线中的一个栅极布线重叠且沿着所述一个栅极布线延伸设置；和多个第二隆起部，在从显示面法线方向观察时与所述多个源极布线中的一个源极布线重叠，所述柱状间隔件与所述第一隆起部接触，所述多个第二隆起部隔着所述第一隆起部相互邻接配置，且高度大于所述第一隆起部的高度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 夏普株式会社 液晶显示装置

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