申请/专利权人：天津大学

申请日：2024-01-11

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855871A

主分类号：H01Q15/14

分类号：H01Q15/14

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开高集成度双谐振反射阵列单元及多谐振反射阵单元。高集成度双谐振反射阵列单元包括工作在单极子模式以及不同谐振频率且弱耦合的第一谐振单元和第二谐振单元；所述第一谐振单元包括第一金属贴片，所述第二谐振单元包括第二金属贴片；所述第一金属贴片与第二金属贴片位于上层，并经共用的接地过孔与位于下层的金属地板连接，从而构成所述第一谐振单元和第二谐振单元；所述第一金属贴片与第二金属贴片位于介质基板的上表面，所述金属地板位于所述介质基板的下表面。本发明具有高集成度、多个谐振单元的谐振频率独立可调、低剖面等优势，适用于无线通信的宽带或双频带场景。

主权项：1.高集成度双谐振反射阵列单元，其特征在于，包括工作在单极子模式以及不同谐振频率且弱耦合的第一谐振单元和第二谐振单元；所述第一谐振单元包括第一金属贴片，所述第二谐振单元包括第二金属贴片；所述第一金属贴片与第二金属贴片位于上层，并经共用的接地过孔与位于下层的金属地板连接，从而构成所述第一谐振单元和第二谐振单元；所述第一金属贴片与第二金属贴片位于介质基板的上表面，所述金属地板位于所述介质基板的下表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津大学 高集成度双谐振反射阵列单元及多谐振反射阵单元

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD