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【发明公布】一种HJT异质结栅极镀铜方法_无锡釜川科技股份有限公司_202311586549.9 

申请/专利权人:无锡釜川科技股份有限公司

申请日:2023-11-27

公开(公告)日:2024-04-09

公开(公告)号:CN117855310A

主分类号:H01L31/0747

分类号:H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/20;C23C28/02

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要:本申请公开了一种HJT异质结栅极镀铜方法,包括以下步骤:步骤一,在HJT基本片上下表面涂覆光刻胶膜层;步骤二,对HJT基本片上下表面进行加热干燥,然后使光刻胶膜层固化;步骤三,对HJT基本片上下表面依照栅极图形进行激光刻线,激光将刻线位置的光刻胶膜层去除;步骤四,将刻线后的HJT基本片浸泡在铜镀溶液中,正电极为电极铜金属,负电极连接于TCO透光导电层,通过电镀在TCO透光导电层表面沉积出按照激光刻线的铜栅电极图形;步骤五,通过溶解液或腐蚀液将HJT基本片表面的光刻胶膜层清除,然后清洗干净并干燥;步骤六,将铜栅极表面进行镀锡处理。此方法使用激光刻线与铜镀结合,给异质结HJT的电铜镀提供了多种实现方向。

主权项:1.一种HJT异质结栅极镀铜方法,其特征在于,包括HJT基本片;所述HJT基本片包括晶硅芯片、上本征层、下本征层、n型非晶硅层、p型非晶硅层,其中:所述上本征层和所述下本征层分别设于所述晶硅芯片的上表面和下表面;所述n型非晶硅层设于所述上本征层的上表面;所述p型非晶硅层设于所述下本征层的下表面;所述n型非晶硅层的上表面和所述p型非晶硅层的下表面均设有TCO透光导电层;HJT异质结栅极镀铜方法包括以下步骤:步骤一,在HJT基本片上下表面涂覆光刻胶膜层;步骤二,通过固化设备对HJT基本片上下表面进行加热干燥,然后使用UV灯照射,使光刻胶膜层固化;UV灯照射时,使用掩膜版遮挡HJT基本片,将要固化曝光的图形显露,或使用光罩遮挡光线曝光图形,此时固化栅极图形暴露部分的光刻胶膜层固化;曝光的HJT基本片使用晶硅显影溶液清除,使得光栅线槽暴露出来,最后清洁烘干;步骤三,通过激光设备对HJT基本片上下表面依照栅极图形进行激光刻线,激光将刻线位置的光刻胶膜层去除,用于铜化学镀膜;步骤四,将刻线后的HJT基本片浸泡在铜镀设备的铜镀溶液中,正电极为电极铜金属,负电极连接于TCO透光导电层,通过电镀在TCO透光导电层表面沉积出按照激光刻线的铜栅电极图形;步骤五,通过溶解液或腐蚀液将HJT基本片表面的光刻胶膜层清除,然后清洗干净并干燥;在清除光刻胶膜层后,再次使用酸性腐蚀溶液进行反刻HJT基本片表面;步骤六,将铜栅极表面进行镀锡处理。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 无锡釜川科技股份有限公司 一种HJT异质结栅极镀铜方法

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