申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

申请日：2024-03-04

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855355A

主分类号：H01L33/12

分类号：H01L33/12;H01L33/02;H01L33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体技术领域。其中，所述发光二极管外延片包括Si衬底及依次层叠于所述Si衬底上的复合缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述复合缓冲层包括第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层包括依次层叠的YAlN层和ScAlN层，所述第二子层包括依次层叠的Si掺杂Ga2O3层和AlGa2O3层，所述第三子层包括依次层叠的Si3N4层和Mg掺杂BGaN层。本发明的复合缓冲层能够减少由Si衬底带来的漏电通道，提高外延生长的晶体质量，从而提高发光效率。

主权项：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括Si衬底及依次层叠于所述Si衬底上的复合缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述复合缓冲层包括第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层包括依次层叠的YAlN层和ScAlN层，所述第二子层包括依次层叠的Si掺杂Ga2O3层和AlGa2O3层，所述第三子层包括依次层叠的Si3N4层和Mg掺杂BGaN层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

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