申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司

申请日：2024-02-02

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855281A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本申请提供一种沟槽栅MOS管及其制备方法，在MOS管中，栅极设置在漂移层上；多个第一掺杂区间隔绕设在栅极的四周，相邻两个第一掺杂区之间形成第一间隔；多个第二掺杂区中的每一第二掺杂区对应设置在一个第一间隔内；源极设置在第二掺杂区上，并与第二掺杂区电连接；漏极设置在漂移层背离栅极的一侧；由于设置了多个第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区之间则会形成更多的JFET区，因为本申请还通过设置栅极背离漂移层的一侧与第一掺杂区背离漂移层的一侧以及与第二掺杂区背离漂移层的一侧平齐，形成沟槽栅状的栅极结构，栅极能够隔设不同掺杂区之间，有利于减少JFET区域，有利于进一步减少导通电阻。

主权项：1.一种沟槽栅MOS管，其特征在于，所述MOS管包括：漂移层；栅极，设置在所述漂移层上；多个第一掺杂区，所述多个第一掺杂区间隔绕设在所述栅极的四周，相邻两个所述第一掺杂区之间形成第一间隔；多个第二掺杂区，所述多个第二掺杂区间隔绕设在所述栅极的四周，且每一所述第二掺杂区对应设置在一个所述第一间隔内；其中，所述第二掺杂区的掺杂类型不同于所述第一掺杂区的掺杂类型；源极，设置在所述第二掺杂区上，并与所述第二掺杂区电连接；漏极，设置在所述漂移层背离所述栅极的一侧；其中，所述栅极背离所述漂移层的一侧与所述第一掺杂区背离所述漂移层的一侧以及与所述第二掺杂区背离所述漂移层的一侧平齐。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳天狼芯半导体有限公司 一种沟槽栅MOS管及其制备方法

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