申请/专利权人：微软技术许可有限责任公司

申请日：2021-08-06

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117859419A

主分类号：H10N69/00

分类号：H10N69/00;G06N10/40;H10N60/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：一种半导体‑超导体混合器件400，包括半导体组件420，被配置为承载2DEG或2DHG；超导体组件430，用于在半导体组件的沟道中诱导超导性；以及一组耗尽栅极452、545、456。超导体组件包括接地的超导体条带。耗尽栅极包括用于限定沟道的第一外部区段的第一外部栅极452a、452b；用于限定沟道的第二外部区段的第二外部栅极456a、456b；以及用于限定沟道的内部区段的内部栅极454a、454b。该器件还包括第一结，该第一结包括在第一外部栅极和内部栅极之间的间隔，以及用于选通第一间隔的辅助栅极470a；以及第二结，该第二结包括在第二外部栅极和内部栅极之间的间隔，以及用于选通第二间隔的辅助栅极470b。辅助栅极可操作以将沟道连接至引线472a、472b。

主权项：1.一种半导体-超导体混合器件，包括：半导体组件，被配置为承载二维电子气或二维空穴气；超导体组件，被布置在所述半导体组件上方，所述超导体组件能够通过邻近效应在所述半导体组件的沟道区域中诱导超导性；以及一组耗尽栅极，被布置在所述半导体组件上方，所述一组耗尽栅极被配置为通过沿所述沟道区域的边缘耗尽来自所述半导体组件的区域的电荷载流子来限定所述沟道区域的边界；其中所述超导体组件包括具有两个末端的超导体材料的细长条带，所述末端中的至少一个末端被电接地；其中所述一组耗尽栅极包括：至少一个第一外部耗尽栅极，用于限定所述沟道区域的第一外部区段；至少一个第二外部耗尽栅极，用于限定所述沟道区域的第二外部区段；以及至少一个内部耗尽栅极，用于限定所述第一外部区段和所述第二内部区段之间的所述沟道区域的内部区段；其中所述器件还包括：第一结，包括在所述至少一个第一外部耗尽栅极和所述至少一个内部耗尽栅极之间的第一间隔，以及用于选通所述第一间隔的第一辅助栅极；第二结，包括在所述至少一个第二外部耗尽栅极和所述至少一个内部耗尽栅极之间的第二间隔，以及用于选通所述第二间隔的第二辅助栅极；以及其中所述第一辅助栅极和所述第二辅助栅极各自可操作以将所述沟道区域电连接至相应的引线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 微软技术许可有限责任公司 具有侧面结的半导体-超导体混合器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD