申请/专利权人：株式会社力森诺科

申请日：2023-10-07

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855055A

主分类号：H01L21/50

分类号：H01L21/50;H01L21/60;H01L23/367

优先权：["20221007 JP 2022-162340"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.09#公开

摘要：提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置，在使用烧结体对装载有半导体元件的基板和散热器进行接合的半导体装置中，在抑制在烧结体形成空隙的同时，抑制由散热器实现的散热效率的降低，该烧结体是使包含金属粒子的接合基材烧结而成的。半导体装置的制造方法包括：基材设置工序，在接合面设置包含金属粒子的接合基材，该接合面是在一方的面装载半导体元件的基板的另一方的面和具有平板状的基体部的散热器的该基体部的与该另一方的面相对向的面中的任一者；层叠工序，隔着接合基材层叠基板和散热器；以及烧结工序，对接合基材进行烧结，形成对基板和散热器进行接合的烧结体，基材设置工序中，以在接合面中的、从基板和散热器的层叠方向观察没有装载半导体元件的区域形成不设置接合基材的非设置部的方式，在接合面设置接合基材。

主权项：1.一种半导体装置的制造方法，包括：基材设置工序，在接合面设置包含金属粒子的接合基材，所述接合面是在一方的面装载半导体元件的基板的另一方的面、和具有平板状的基体部的散热器的该基体部的与所述另一方的面相对向的面中的任一者；层叠工序，隔着所述接合基材层叠所述基板和所述散热器；以及烧结工序，对所述接合基材进行烧结，形成对所述基板和所述散热器进行接合的烧结体，所述基材设置工序中，以在所述接合面中的从所述基板和所述散热器的层叠方向观察没有装载所述半导体元件的区域形成不设置所述接合基材的非设置部的方式，在该接合面设置该接合基材。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社力森诺科 半导体装置的制造方法及半导体装置

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