申请/专利权人：本源量子计算科技(合肥)股份有限公司

申请日：2023-12-13

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117858614A

主分类号：H10N60/82

分类号：H10N60/82;H10N60/81;H10N60/01;C23C14/30;C23C14/14;C23C14/35;C23C14/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本申请涉及量子芯片技术领域，具体涉及一种量子芯片介质层的刻蚀方法、量子芯片，所述量子芯片具有衬底，包括：以氧气的比例在第一预设范围的第一刻蚀气体对所述衬底上的介质层进行一次刻蚀；其中，所述第一预设范围为10％‑20％，所述第一刻蚀气体为四氟化碳与氧气混合的气体；以氧气的比例在第二预设范围的第二刻蚀气体对所述介质层进行二次刻蚀，得到刻蚀的量子芯片介质层，其中，所述第二刻蚀气体为六氟化硫与氧气混合的气体，所述第二预设范围为0％‑10％，当氧气的比例为0％时，所述第二刻蚀气体为六氟化硫，本申请通过上述方式实现了刻蚀工艺的优化，避免了介质层刻蚀过程中的存在刻蚀残留。

主权项：1.一种量子芯片介质层的刻蚀方法，所述量子芯片具有衬底，其特征在于，所述方法包括：以氧气的比例在第一预设范围的第一刻蚀气体对所述衬底上的介质层进行一次刻蚀；其中，所述第一刻蚀气体为四氟化碳与氧气混合的气体；以氧气的比例在第二预设范围的第二刻蚀气体对所述介质层进行二次刻蚀，得到刻蚀的量子芯片介质层，其中，所述第二刻蚀气体为六氟化硫与氧气混合的气体，当氧气的比例为零时，所述第二刻蚀气体为六氟化硫。

全文数据：

权利要求：

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