申请/专利权人：天津三安光电有限公司

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855359A

主分类号：H01L33/38

分类号：H01L33/38;H01L33/62;H01L33/46

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括外延结构、P型窗口层、透明导电层和N型电极，外延结构包括自下而上依次堆叠的P型半导体层、发光层和N型半导体层，P型窗口层设置在P型半导体层下，透明导电层设置在P型窗口层下，N型电极设置在N型半导体层上，其中，定义发光二极管的电流密度为J，N型电极在水平面的投影与P型窗口层在水平面的投影之间的最小间距为L，L：J的范围为0.3～1.5。借此设置，可以有效提升发光二极管的光电转换效率，提高发光二极管的品质。

主权项：1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：外延结构，所述外延结构包括自下而上依次堆叠的P型半导体层、发光层和N型半导体层；P型窗口层，设置在所述P型半导体层下；透明导电层，设置在所述P型窗口层下；N型电极，设置在所述N型半导体层上；其中，定义所述发光二极管的电流密度为J，所述N型电极在水平面的投影与所述P型窗口层在水平面的投影之间的最小间距为L，L：J的范围为0.3～1.5。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津三安光电有限公司 发光二极管及发光装置

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