申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-08-04

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN111952317B

主分类号：H10B43/35

分类号：H10B43/35;H10B43/27

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2020.12.04#实质审查的生效;2020.11.17#公开

摘要：本发明提供一种三维存储器及其制备方法。三维存储器的制备方法包括：提供半导体器件；采用第一温度对所述半导体器件进行第一热处理，以使所述半导体器件致密化释放应力，其中，所述半导体器件进行第一热处理的时间为第一时间；在进行第一热处理后的所述半导体器件上形成沟道孔。本发明解决了由于半导体器件上的应力不均匀，在半导体器件上形成沟道孔之后，会对沟道孔的侧壁形成损坏，进而影响三维存储器的电性能的技术问题。

主权项：1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体器件；所述半导体器件包括衬底与设于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构为绝缘层与栅极牺牲层交替层叠的叠层；采用第一温度对所述半导体器件进行第一热处理，以使所述半导体器件致密化释放应力，其中，所述半导体器件进行第一热处理的时间为第一时间；在进行第一热处理后的所述半导体器件上形成沟道孔。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器及其制备方法

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