申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

申请日：2024-01-25

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117637954B

主分类号：H01L33/16

分类号：H01L33/16;H01L33/02;H01L33/14;H01L33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片依次包括衬底，依次层叠于所述衬底上的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；所述P型半导体层为周期性结构，周期数为3~25，每个周期均包括依次层叠的第一P型GaN层、第二P型GaN层和二维InSe层；其中，所述第一P型GaN层中GaN为立方闪锌矿结构，所述第二P型GaN层中GaN为六方纤锌矿结构。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率，降低其工作电压。

主权项：1.一种发光二极管外延片，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；其特征在于，所述P型半导体层为周期性结构，周期数为3~25，每个周期均包括依次层叠的第一P型GaN层、第二P型GaN层和二维InSe层；其中，所述第一P型GaN层中GaN为立方闪锌矿结构，所述第二P型GaN层中GaN为六方纤锌矿结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

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