申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2019-11-28

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN112201659B

主分类号：H10B41/30

分类号：H10B41/30;H10B41/27;H10B43/30;H10B43/27

优先权：["20190708 KR 10-2019-0082271"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.01.26#实质审查的生效;2021.01.08#公开

摘要：半导体装置以及制造半导体装置的方法。根据本公开的实施方式的制造半导体装置的方法可包括：形成包括第一部分和第二部分的第一牺牲层，第二部分的厚度比第一部分的厚度厚；在第一牺牲层上形成包括彼此交替的第一材料层和第二材料层的层叠物；形成穿过层叠物并延伸到第一部分的沟道结构；形成穿过层叠物并延伸到第二部分的狭缝；通过狭缝去除第一牺牲层以形成第一开口；以及在第一开口中形成连接到沟道结构的第二源极层。

主权项：1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：形成第一牺牲层，该第一牺牲层包括第一部分和第二部分，所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度厚；在所述第一牺牲层上形成层叠物，该层叠物包括彼此交替的第一材料层和第二材料层；形成沟道结构，该沟道结构穿过所述层叠物和所述第一牺牲层的所述第一部分；形成狭缝，该狭缝穿过所述层叠物并且延伸到所述第二部分；通过所述狭缝去除所述第一牺牲层以形成第一开口；以及在所述第一开口中形成连接到所述沟道结构的第二源极层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体装置以及制造半导体装置的方法

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