申请/专利权人：常州臻晶半导体有限公司

申请日：2024-01-26

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117626407B

主分类号：C30B15/00

分类号：C30B15/00;C30B29/36

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要：本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种液相法高效生长碳化硅单晶系统及其工作方法；本发明提供了一种液相法高效生长碳化硅单晶系统，包括：坩埚、提拉杆、籽晶层和清理稳定部，所述提拉杆垂直固定在籽晶层上，所述提拉杆适于驱动籽晶层插入坩埚内；所述清理稳定部固定在坩埚上方，所述清理稳定部与提拉杆和子晶层联动；其中，清理稳定部的外活动端向下移动，清理稳定部的内活动端适于与籽晶层底壁抵接；清理稳定部的内活动端自内向外翻转的过程中，适于清理籽晶层下表面的灰尘；通过清理稳定部的设置，提高了籽晶层移动时的稳定性。

主权项：1.一种液相法高效生长碳化硅单晶系统，其特征在于，包括：坩埚（1）、提拉杆（2）、籽晶层（3）和清理稳定部（4），所述提拉杆（2）垂直固定在籽晶层（3）上，所述提拉杆（2）适于驱动籽晶层（3）插入坩埚（1）内；所述清理稳定部（4）固定在坩埚（1）上方，所述清理稳定部（4）与提拉杆（2）和子晶层联动；其中，清理稳定部（4）的外活动端向下移动，清理稳定部（4）的内活动端适于与籽晶层（3）底壁抵接；清理稳定部（4）的内活动端自内向外翻转的过程中，适于清理籽晶层（3）下表面的灰尘；所述清理稳定部（4）包括：限位筒（41）、连接杆（42）、清理件（43）和驱动块（44），所述限位筒（41）呈椭圆形，所述限位筒（41）设置在坩埚（1）上方；所述驱动块（44）滑动设置在所述限位筒（41）外壁，所述驱动块（44）与所述连接杆（42）联动；所述连接杆（42）下端铰接在所述限位筒（41）侧壁，所述连接杆（42）上端朝向所述籽晶层（3）；所述清理件（43）固定在所述连接杆（42）上端，所述清理件（43）内部中空，且所述清理件（43）适于与籽晶层（3）抵接；其中，提拉杆（2）驱动籽晶层（3）向下移动至与清理件（43）抵接；驱动块（44）竖直向下滑动，驱动块（44）适于推动连接杆（42）以铰接点为轴向上翻转；清理件（43）适于沿籽晶层（3）下表面水平滑动，所述清理件（43）适于清理籽晶碰下表面的灰尘；所述清理件（43）的长度不小于所述籽晶层（3）的直径；所述清理件（43）内设置有清理膜，所述清理膜适于沿清理件（43）外壁水平移动。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 常州臻晶半导体有限公司 一种液相法高效生长碳化硅单晶系统及其工作方法

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