申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

申请日：2020-02-21

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN112542382B

主分类号：H01L21/306

分类号：H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/78;B23K26/36

优先权：["20190904 JP 2019-161250"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.04.09#实质审查的生效;2021.03.23#公开

摘要：实施方式提供能够提高制造成品率的半导体装置的制造方法以及半导体装置。实施方式的半导体装置包括：半导体部；在上述半导体部的背面上设置的第1电极；及在上述半导体部的表面上设置的第2电极。上述半导体装置的制造方法包括：形成将包含成为上述半导体部的区域的晶片的背面覆盖的上述第1电极的工序；沿着成为上述半导体部的区域的外缘，形成将上述第1电极选择性地去除而成的、而且包含位于上述晶片中的部分的第1槽的工序；以及沿着上述晶片的表面中的成为上述半导体部的区域的外缘，形成与上述第1槽相连的第2槽，将上述晶片分割的工序。上述第2槽在沿着上述晶片的上述表面的方向上的宽度，形成得比上述第1槽在上述方向的宽度窄。

主权项：1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括半导体部、在上述半导体部的背面上设置的第1电极及在上述半导体部的表面上设置的第2电极，该半导体装置的制造方法包括如下工序：在包含成为上述半导体部的区域的晶片的表面上形成了上述第2电极后，形成将上述晶片的背面覆盖的上述第1电极的工序；沿着成为上述半导体部的区域的外缘，形成将上述第1电极选择性地去除而成的、而且包含位于上述晶片中的部分的第1槽的工序；以及沿着上述晶片的上述表面中的成为上述半导体部的区域的外缘，形成与上述第1槽相连的第2槽，将上述晶片分割的工序，上述第2槽在沿着上述晶片的表面的第1方向上的宽度，形成得比上述第1槽在上述第1方向的宽度窄，上述第1槽形成为具有向朝向所述晶片内的方向弯曲的内表面，上述第1槽的位于上述晶片中的部分在上述第1方向上的宽度的二分之一比在与上述晶片的上述背面垂直的第2方向上从上述背面到达上述晶片中的上述第1槽的深度宽。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 半导体装置的制造方法以及半导体装置

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