申请/专利权人：晶澳太阳能有限公司

申请日：2020-11-03

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN112251808B

主分类号：C30B29/06

分类号：C30B29/06;C30B15/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.02.09#实质审查的生效;2021.01.22#公开

摘要：本发明公开了一种水冷热屏结构、单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法，涉及单晶硅生长领域。该水冷热屏结构的一具体实施方式包括：内壳的内表面排列设置槽形结构；内壳的剖面和外壳的剖面均为倒置的等腰梯形结构；内壳套装在外壳内，内壳的上边缘和下边缘分别与外壳的上边缘和下边缘密封连接；内壳与外壳之间形成空腔，冷却水导流装置设置于空腔内。该实施方式能够有效地提高水冷热屏结构吸收热辐射的能力，从而提高水冷热屏结构的散热效果。

主权项：1.一种水冷热屏结构，其特征在于，包括：内壳101、外壳102、冷却水导流装置103，其中，所述内壳101的内表面排列设置槽形结构1011；所述内壳101的剖面和所述外壳102的剖面均为倒置的等腰梯形结构；所述内壳101套装在所述外壳102内，所述内壳101的上边缘和下边缘分别与所述外壳102的上边缘和下边缘密封连接；所述内壳101与所述外壳102之间形成空腔，所述冷却水导流装置103设置于所述空腔内；所述槽形结构1011在所述内壳101的内表面密集排列；所述内壳101的内表面分为上段部分1012、中段部分1013以及下段部分1014；所述槽形结构排列于所述下段部分1014、所述中段部分1013以及所述上段部分1012中的任意一部分中的部分区域或全部区域，或者所述槽形结构排列于所述下段部分1014、所述中段部分1013以及所述上段部分1012中的任意两部分中的部分区域或全部区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 晶澳太阳能有限公司 一种水冷热屏结构、单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD