申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2021-07-26

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN113571528B

主分类号：H10B43/50

分类号：H10B43/50;H10B43/35;H10B43/27

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.11.16#实质审查的生效;2021.10.29#公开

摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。制备三维存储器的方法包括：在衬底的第一表面限定预设区域，并在第一表面的、除预设区域之外的部分形成支撑层；在支撑层的外表面以及预设区域共形覆盖叠层结构，叠层结构包括交替叠置的牺牲层和绝缘层；去除部分叠层结构，以保留叠层结构的、与支撑层的侧表面以及预设区域对应的部分；去除牺牲层以形成牺牲间隙；在牺牲间隙内填充导电材料以形成三维存储器的栅极层和与栅极层连通的字线接触。根据该制备方法，可简化三维存储器的制备工艺，实现栅极层与字线接触的有效连通，并缩小栅极层的、与字线接触接触部分的面积，提高三维存储器的集成度及性能。

主权项：1.一种制备三维存储器的方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底的第一表面限定预设区域，并在所述第一表面的、除所述预设区域之外的部分形成支撑层；在所述支撑层的外表面以及所述预设区域共形覆盖叠层结构，所述叠层结构包括交替叠置的牺牲层和绝缘层；去除部分所述叠层结构，以保留所述叠层结构的、与所述支撑层的侧表面以及所述预设区域对应的部分；去除所述牺牲层以形成牺牲间隙；以及在所述牺牲间隙内填充导电材料以形成所述三维存储器的栅极层和与所述栅极层连通的字线接触，其中，保留的所述叠层结构位于所述侧表面的部分暴露于第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对，且所述侧表面包括分别位于所述预设区域的两侧并相对的第一侧表面和第二侧表面，所述叠层结构包括位于所述第一侧表面的第一分布和位于所述第二侧表面的第二分布，所述牺牲层包括依次叠置的第一牺牲层和第二牺牲层；以及在去除所述牺牲层以形成牺牲间隙之前，所述方法还包括：去除所述第一分布的所述第一牺牲层暴露在所述第二表面的部分，以使所述第一分布的所述第一牺牲层相对于所述第一分布的所述第二牺牲层在垂直于所述第一表面的方向形成第一凹陷；去除所述第二分布的所述第二牺牲层暴露在所述第二表面的部分，以使所述第二分布的所述第二牺牲层相对于所述第二分布的所述第一牺牲层在垂直于所述第一表面的方向形成第二凹陷；以及采用绝缘材料填充所述第一凹陷和所述第二凹陷。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器及其制备方法

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