申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司

申请日：2024-03-05

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117826547A

主分类号：G03F7/20

分类号：G03F7/20;H01L21/66;G03F9/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明提供一种套刻检测方法，包括提供一衬底，所述衬底上形成有下层互连层，所述下层互连层上形成有上层介质层，所述上层介质层中形成有沟槽，所述沟槽的位置与所述下层互连层的位置相对应；形成上层通孔，所述上层通孔位于所述沟槽下方并与所述沟槽连通，所述上层通孔贯穿所述上层介质层，并延伸至所述下层互连层中以在所述下层互连层上形成凹坑；去除所述上层介质层，并暴露出所述下层互连层上的凹坑；采用特征尺寸测量用扫描电子显微镜测量所述凹坑的偏移量以判断所述上层通孔与所述下层互连层的对准效果。采用特征尺寸测量用扫描电子显微镜测量所述凹坑的偏移量，提高了测试的准确性和效率。

主权项：1.一种套刻检测方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有下层互连层，所述下层互连层上形成有上层介质层，所述上层介质层中形成有沟槽，所述沟槽的位置与所述下层互连层的位置相对应；形成上层通孔，所述上层通孔位于所述沟槽下方并与所述沟槽连通，所述上层通孔贯穿所述上层介质层，并延伸至所述下层互连层中以在所述下层互连层上形成凹坑；去除所述上层介质层，并暴露出所述下层互连层上的凹坑；采用特征尺寸测量用扫描电子显微镜测量所述凹坑的偏移量以判断所述上层通孔与所述下层互连层的对准效果。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 套刻检测方法

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