申请/专利权人：北京清芯微储能科技有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832278A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.05#公开

摘要：本发明公开一种增加JFET区源极接触的六边形屏蔽型SiCMOSFET结构，包括多个并联的六边形MOS元胞，元胞从长条形改设计成六边形减小器件中源区面积占比，增大器件的电流密度，JFET区底部和顶部分别增加屏蔽结构和源极接触，JFET区底部实现大幅缩短JFET区的宽度，利于在JFET区底部通过耗尽效应减小器件短路时的电流路径宽度，大幅降低器件的短路饱和电流，进而提升SiCMOSFET的短路能力；通过反偏肖特基结与屏蔽结构共同作用，减弱甚至消除在发生漏源电压过冲时在JFET区下形成的极强电场，进一步提升器件的雪崩能力。

主权项：1.一种增加JFET区源极接触的六边形屏蔽型SiCMOSFET结构，其特征在于，包括多个并联的六边形MOS元胞，所述六边形MOS元胞俯视结构呈正六边形，所述六边形MOS元胞六个边相邻位置均分布有所述六边形MOS元胞，相邻所述六边形MOS元胞至少有一边平行，所述六边形MOS元胞中具有JFET区，所述JFET区的横截面呈柱型轮廓，所述柱型轮廓至少具有一粗径段和一细径段以形成屏蔽结构，所述粗径段与所述六边形MOS元胞的栅氧层接触，所述JFET区上方具有GATE，所述GATE包括栅氧层、淀积在栅氧层上的多晶硅栅极及覆盖多晶硅栅极的介质层，所述多晶硅栅极位于所述JFET区上的位置被打断以形成两段的所述多晶硅栅极，所述源极通过两段的所述多晶硅栅极与所述JFET区直接接触以形成肖特基结。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京清芯微储能科技有限公司 一种增加JFET区源极接触的六边形屏蔽型SiC MOSFET结构

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