申请/专利权人：渚羽科技(杭州)有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878722A

主分类号：H01S5/40

分类号：H01S5/40;G02F1/01;G02F1/21;H01S5/10;H01S5/14;H01S5/06;H01S5/0687;H01S5/068;H01S5/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及一种注入锁定窄线宽硅基端面耦合外腔激光器以及控制方法，将两个线宽特性一般的半导体激光器结合，同时结合一个微环谐振腔滤波，转变成一个线宽特性良好的窄线宽激光器，两个激光器通过互注入锁定实现了对激光器的线宽压窄；也可以仅开启其中一个激光器，通过微环谐振腔滤波结合另一个激光器的反射增益，利用自注入弱反馈技术，实现对单个激光器的线宽压窄。同时，上述技术方案中所提供的注入锁定窄线宽硅基端面耦合外腔激光器的控制方法，能够调节互注入或自注入的光强度和光相位，寻找到第一激光器和或第二激光器的频率锁定的工作点，有利于提高激光器输出的功率和频率稳定性以及降低输出线宽。

主权项：1.一种注入锁定窄线宽硅基端面耦合外腔激光器，其特征在于，包括第一激光器、第二激光器、第一光斑尺寸转换器、第二光斑尺寸转换器、第一相移器、第二相移器、第一定向耦合器、第一马赫-曾德尔干涉仪、第三相移器、第二定向耦合器、第二马赫-曾德尔干涉仪、第四相移器、微环谐振腔以及光输出结构；所述第一激光器和所述第二激光器为具有反射模块的半导体激光器；所述第一激光器、所述第一光斑尺寸转换器、所述第一相移器、第一定向耦合器和第一马赫-曾德尔干涉仪依次对接耦合；所述第二激光器、所述第二光斑尺寸转换器、所述第二相移器、第二定向耦合器和第二马赫-曾德尔干涉仪依次对接耦合；所述第一马赫-曾德尔干涉仪与所述微环谐振腔的Input端之间通过第三相移器连接；所述第二马赫-曾德尔干涉仪与所述微环谐振腔的Drop端之间通过第四相移器连接；所述第一定向耦合器和所述第二定向耦合器还分别与所述光输出结构连接。

全文数据：

权利要求：

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