申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

申请日：2024-03-11

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878200A

主分类号：H01L33/00

分类号：H01L33/00;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/22;H01L33/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种发光二极管外延片制备方法及外延片，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上沉积缓冲层；在缓冲层上沉积非掺杂GaN层；在非掺杂GaN层上沉积n型GaN层；在n型GaN层上沉积多量子阱层；在多量子阱层上沉积电子阻挡层，电子阻挡层包括依次沉积的Mg元素渐变掺杂的AlGaN层及超晶格结构层，超晶格结构层包括由下而上周期性层叠的非掺杂AlGaN层、Mg2N3层、多孔含Al氮化物层；在电子阻挡层上沉积p型GaN层。本发明制备方法能够减少电子溢流，提高电流扩展，减少Mg受主钝化，提高空穴注入效率，减少吸光，提高出光效率，提升发光二极管的发光效率。

主权项：1.一种发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上沉积缓冲层；在所述缓冲层上沉积非掺杂GaN层；在所述非掺杂GaN层上沉积n型GaN层；在所述n型GaN层上沉积多量子阱层；在所述多量子阱层上沉积电子阻挡层，所述电子阻挡层包括依次沉积的Mg元素渐变掺杂的AlGaN层及超晶格结构层，所述超晶格结构层包括由下而上周期性层叠的非掺杂AlGaN层、Mg2N3层、多孔含Al氮化物层，且所述多孔含Al氮化物层的其他元素为In和Ga中的至少一种，并通过高温退火将其他元素解吸附，以于所述电子阻挡层上形成多孔微粗糙结构；在所述电子阻挡层上沉积p型GaN层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种发光二极管外延片制备方法及外延片

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