申请/专利权人：上海近观科技有限责任公司

申请日：2024-01-17

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117872528A

主分类号：G02B6/125

分类号：G02B6/125;G02B6/12;G02B27/58;G01N21/01

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请涉及光子集成电路的技术领域，公开一种实现局部倏逝波光场增强的芯片结构及光场增强方法，该芯片结构包括多级串联的多模干涉耦合器，多模干涉耦合器包括输入波导、多模波导区和输出波导；多级多模干涉耦合器中的每个末级多模干涉耦合器的输出波导通过环路波导连接，环路波导上设有相位调制器，多个多模干涉耦合器的多路环路波导形成波导阵列区。本申请具有有助于提高成像分辨率的优点，且本结构的工艺简单，制造成本低。

主权项：1.一种实现局部倏逝波光场增强的芯片结构，其特征在于，包括多级串联的多模干涉耦合器、波导环路阵列以及相位调制器，其中所述多模干涉耦合器包括输入波导、多模波导和输出波导；第一种结构：多级所述多模干涉耦合器中的每个末级所述多模干涉耦合器的输出波导通过一级波导环路连接，所述一级波导环路上设有相位调制器，多个所述多模干涉耦合器的所述一级波导环路形成波导阵列区；或，第二种结构：次末级所述多模干涉耦合器的输出波导与末级所述多模干涉耦合器的输入波导一级波导环路连接，多级所述多模干涉耦合器中的每个末级所述多模干涉耦合器的输出波导通过二级波导环路连接，所述二级波导环路上设有相位调制器，多个所述一级波导环路形成波导阵列区；或，第三种结构：次末级所述多模干涉耦合器的输出波导与末级所述多模干涉耦合器的输入波导通过一级波导环路连接，多级所述多模干涉耦合器中的任意两个末级所述多模干涉耦合器的输出波导通过二级波导环路连接，所述二级波导环路上设有相位调制器，多个所述一级波导环路形成波导阵列区；或，第四种结构：次末级所述多模干涉耦合器的输出波导与两个末级所述多模干涉耦合器的输出波导通过一级波导环路连接，多个所述一级波导环路形成波导阵列区；多级所述多模干涉耦合器中的所述两个末级多模干涉耦合器的输入波导通过二级波导环路连接，所述二级波导环路上设有相位调制器。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海近观科技有限责任公司 实现局部倏逝波光场增强的芯片结构及光场增强方法

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