申请/专利权人：上海聚跃检测技术有限公司

申请日：2024-02-19

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878004A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;H01L21/67

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及一种WLCSP封装芯片去球去PI去RDL的方法，所述方法包括以下步骤：1采用电烙铁将芯片上的锡球加热至熔化，然后采用吸焊带吸除熔化后的锡球，得到去球后的芯片；2将步骤1得到的所述去球后的芯片进行碱蚀处理，然后清洗，得到去除PI胶后的芯片；3将步骤2得到的所述去除PI胶后的芯片进行研磨至RDL层金属与下层金属出现分离，然后剥削去除RDL层金属，得到处理后的芯片。本发明提供的方法不仅去球、去PI、去RDL的效果良好，而且能够解决现有化学溶液腐蚀法导致的下层金属过腐蚀风险，同时能够提升检测质量和检测效率。

主权项：1.一种WLCSP封装芯片去球去PI去RDL的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：1采用电烙铁将芯片上的锡球加热至熔化，然后采用吸焊带吸除熔化后的锡球，得到去球后的芯片；2将步骤1得到的所述去球后的芯片进行碱蚀处理，然后清洗，得到去除PI胶后的芯片；3将步骤2得到的所述去除PI胶后的芯片进行研磨至RDL层金属与下层金属出现分离，然后剥削去除RDL层金属，得到处理后的芯片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海聚跃检测技术有限公司 一种WLCSP封装芯片去球去PI去RDL的方法

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