申请/专利权人：厦门三安光电有限公司

申请日：2023-11-23

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878206A

主分类号：H01L33/20

分类号：H01L33/20;H01L33/44;H01L23/60

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层和绝缘结构，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有台面，台面是第一半导体层的未被发光层覆盖的上表面，绝缘结构覆盖半导体叠层，并具有第一开口和第二开口，第一开口位于台面上，第二开口位于第二半导体层上，其中，半导体叠层于台面处具有一凹坑，第一半导体层于凹坑处具有一第一倾斜侧壁，绝缘结构于台面处具有一第二倾斜侧壁，第一倾斜侧壁与水平面之间的夹角为第一夹角，第二倾斜侧壁与水平面之间的夹角为第二夹角，第一夹角小于等于第二夹角。借此可以有效提升发光二极管的抗静电性能和发光性能，提高发光二极管的品质。

主权项：1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：半导体叠层，所述半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述半导体叠层具有台面，所述台面是所述第一半导体层的未被所述发光层覆盖的上表面；绝缘结构，覆盖所述半导体叠层，并具有第一开口和第二开口，所述第一开口位于所述台面上，所述第二开口位于所述第二半导体层上；其中，所述半导体叠层于所述台面处具有一凹坑，所述第一半导体层于所述凹坑处具有一第一倾斜侧壁，所述绝缘结构于所述台面处具有一第二倾斜侧壁，所述第一倾斜侧壁与水平面之间的夹角为第一夹角，所述第二倾斜侧壁与水平面之间的夹角为第二夹角，所述第一夹角小于等于所述第二夹角。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门三安光电有限公司 发光二极管及发光装置

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