申请/专利权人：物元半导体技术(青岛)有限公司

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117877972A

主分类号：H01L21/3105

分类号：H01L21/3105;H01L23/528

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及一种半导体制造方法及半导体结构，其中，半导体制造方法至少包括以下步骤：提供一待平坦化的底层结构，底层结构的表面不平整且具有至少一个台阶；在底层结构之上形成第一介质层，第一介质层的表面由于底层结构表面的台阶而形成高度差，高度差最大处为4～5μm；对第一介质层的表面执行第一次化学机械研磨；在研磨后的第一介质层之上形成第二介质层；对第二介质层的表面执行第二次化学机械研磨直至表面达到键合要求。通过该方法可以降低半导体结构表面较大的台阶差，获得较好的平坦度，满足键合要求。

主权项：1.一种半导体制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：提供一待平坦化的底层结构，所述底层结构的表面不平整且具有至少一个台阶；在所述底层结构之上形成第一介质层，所述第一介质层的表面由于所述底层结构表面的台阶而形成高度差，所述高度差最大处为4～5μm；对所述第一介质层的表面执行第一次化学机械研磨；在研磨后的所述第一介质层之上形成第二介质层；对所述第二介质层的表面执行第二次化学机械研磨直至表面达到键合要求。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 物元半导体技术(青岛)有限公司 半导体制造方法及半导体结构

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