申请/专利权人：泉州三安半导体科技有限公司

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878210A

主分类号：H01L33/38

分类号：H01L33/38;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/62

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及显示装置。发光二极管可包括：半导体结构，自下而上包括依序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；介电层位于第一半导体层的下方，其上具有间隔设置的第一开口和第二开口，第一开口和第二开口裸露出第一半导体层的部分表面；接触电极设置于第一开口内并覆盖第一半导体层的部分表面；粘附层设置于第二开口内，至少覆盖介电层、接触电极；第一电极位于粘附层的下方并与第一半导体层电性连接；第二电极位于第二半导体层的上方并与第二半导体层电性连接；其中，在竖直方向上，第二开口位于第二电极的下方；从竖直投影面看，第二开口的投影与第二电极的投影至少部分重叠。

主权项：1.一种发光二极管，其特征在于：至少包括：半导体结构，自下而上包括依序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；介电层，位于所述第一半导体层的下方，其上具有间隔设置的第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口裸露所述第一半导体层的部分表面；接触电极，设置于所述第一开口内并覆盖所述第一半导体层的部分表面；粘附层，设置于所述第二开口内，至少覆盖所述介电层、所述接触电极；第一电极，位于所述粘附层的下方并与所述第一半导体层电性连接；第二电极，位于所述第二半导体层的上方并与所述第二半导体层电性连接；其中，在竖直方向上，所述第二开口位于所述第二电极的下方；从竖直投影面看，所述第二开口的投影与所述第二电极的投影至少部分重叠。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 泉州三安半导体科技有限公司 发光二极管及显示装置

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