申请/专利权人:珠海越芯半导体有限公司
申请日:2023-12-11
公开(公告)日:2024-04-12
公开(公告)号:CN117877987A
主分类号:H01L21/48
分类号:H01L21/48;H01L21/60;H01L23/498
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开
摘要:本发明公开了一种局部线路加厚封装方法及结构、电子设备、存储介质,涉及封装结构技术领域。该方法包括:获取主基板;主基板的表面设置有第一线路;在主基板的表面,制作阻焊层,并对阻焊层进行开窗,将第一线路需要加厚的区域暴露出来;在需要加厚的区域处,电镀形成加厚线路;加厚线路的高度低于阻焊层的高度;在加厚线路的表面,制作表面处理层;在表面处理层上,放置芯片,并对芯片进行封装。根据本发明实施例的局部线路加厚封装方法,能够实现对要求高功率大电流导通位置的导线铜厚进行局部加厚,提高加工效率,减少金属铜的浪费,降低加工成本,并且还可以降低封装基板的整体厚度,满足产品轻薄化的要求。
主权项:1.一种局部线路加厚封装方法,其特征在于,包括以下步骤:获取主基板;所述主基板的表面设置有第一线路;在所述主基板的表面,制作阻焊层,并对所述阻焊层进行开窗,将所述第一线路需要加厚的区域暴露出来;在所述需要加厚的区域处,电镀形成加厚线路;所述加厚线路的高度低于所述阻焊层的高度;在所述加厚线路的表面,制作表面处理层;在所述表面处理层上,放置芯片,并对所述芯片进行封装。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 珠海越芯半导体有限公司 局部线路加厚封装方法及结构、电子设备、存储介质
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