申请/专利权人：泉州三安半导体科技有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878227A

主分类号：H01L33/62

分类号：H01L33/62;H01L33/38

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管的半导体叠层中设置有接触孔，沿基板中第一表面至第二表面的方向，接触层设置于接触孔内，能够有效避免接触层受到键合层挤压出现的位移，提高接触层的厚度均匀性，降低接触层的膜层剥落，降低接触层出现空洞的现象，有效提高发光二极管的性能和可靠性。

主权项：1.一种发光二极管，其特征在于，包括：基板，所述基板具有相对设置的第一表面和第二表面；半导体叠层，所述半导体叠层设置于所述第一表面的上方，所述半导体叠层包括自所述第一表面依次叠置的第二半导体层、有源层和第一半导体层；绝缘层，所述绝缘层设置于所述基板与所述半导体叠层之间；接触孔，所述接触孔设置于所述半导体叠层中，且贯穿所述第二半导体层、所述有源层以及部分所述第一半导体层，所述接触孔的侧壁设置有所述绝缘层，所述绝缘层的侧壁以及所述接触孔靠近所述第一半导体层的一侧设置接触层；其中，所述绝缘层自所述接触孔延伸至所述半导体叠层的外围区域；沿所述第一表面至所述第二表面的方向，所述接触层设置于所述接触孔内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 泉州三安半导体科技有限公司 一种发光二极管及发光装置

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