申请/专利权人：ASML荷兰有限公司

申请日：2022-08-05

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117882012A

主分类号：G03F7/20

分类号：G03F7/20;G03F9/00

优先权：["20210830 US 63/238,478"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.12#公开

摘要：提供了用于校正对准测量结果或重叠误差的系统、设备和方法。示例性方法可以包括测量响应于由辐射束对表面的区域的照射的可观察量，诸如从该区域衍射的辐射之间的干涉。示例性方法还可以包括生成指示可观察量的测量信号。在一些方面中，该测量信号可以包括指示所测量的干涉的干涉条纹图案数据。示例性方法还可以包括基于测量信号确定对测量值的校正。可选地，校正可以包括对于对准传感器的对准测量结果的校正、对于重叠传感器的重叠误差的校正、或两者。

主权项：1.一种量测系统，所述量测系统包括：照射系统，所述照射系统被配置为：产生辐射束，以及朝向衬底的表面的区域引导所述辐射束；检测系统，所述检测系统被配置为：测量响应于由所述辐射束对所述区域的照射而来自所述区域的可观察量，以及生成指示所测量的可观察量的测量信号；和控制器，所述控制器被配置为：基于所述测量信号确定对测量值的校正。

全文数据：

权利要求：

百度查询： ASML荷兰有限公司 量测系统、光刻设备和方法

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